[發明專利]一種異質結太陽能電池及其制作方法

有效

• 申請號: 201410577959.1
• 申請日: 2014-10-24
• 公開（公告）號: CN104362193A
• 公開（公告）日: 2015-02-18
• 發明（設計）人: 張林;王進;任明沖;谷士斌;何延如;楊榮;李立偉;郭鐵;孟原
• 申請（專利權）人: 新奧光伏能源有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

1.一種異質結太陽能電池，其特征在于，包括：

在硅襯底的背面依次形成的第一i型本征非晶硅薄膜、p型非晶硅薄膜，在所述p型非晶硅薄膜表面形成的金屬薄膜，以及在所述金屬薄膜表面形成的背面金屬電極；

在所述硅襯底的正面依次形成的第二i型本征非晶硅薄膜、n型非晶硅薄膜，以及在所述n型非晶硅薄膜表面形成的導電薄膜和所述導電薄膜上的正面金屬電極。

2.如權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述金屬薄膜的功函數大于所述p型非晶硅薄膜。

3.如權利要求2所述的太陽能電池，其特征在于，所述金屬薄膜是采用磁控濺射、熱蒸發沉積或分子束外延的方式形成的。

4.如權利要求3所述的太陽能電池，其特征在于，所述金屬薄膜的厚度為1-100nm。

5.如權利要求1-4任一項所述的太陽能電池，其特征在于，所述金屬薄膜是鋁金屬薄膜、鎳金屬薄膜、鉻金屬薄膜或硅合金金屬薄膜。

6.如權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，在所述硅襯底的背面依次形成的所述第一i型本征非晶硅薄膜、所述p型非晶硅薄膜是采用等離子體化學氣相沉積PECVD的方式形成的。

7.如權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，在所述硅襯底的正面依次形成的所述第二i型本征非晶硅薄膜、所述n型非晶硅薄膜是采用PECVD的方式形成的。

8.一種異質結太陽能電池的制作方法，其特征在于，包括：

在硅襯底的背面形成第一i型本征非晶硅薄膜，在所述i型本征非晶硅薄膜表面形成p型非晶硅薄膜；

在所述硅襯底的正面形成第二i型本征非晶硅薄膜，在所述第二i型本征非晶硅薄膜表面形成n型非晶硅薄膜；

在所述p型非晶硅薄膜表面形成金屬薄膜，在所述金屬薄膜表面形成背面金屬電極；

在所述n型非晶硅薄膜表面形成導電薄膜以及在所述導電薄膜的表面形成正面金屬電極。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述金屬薄膜的功函數大于所述p型非晶硅薄膜。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，采用磁控濺射、熱絲蒸發沉積或分子束外延方式在所述p型非晶硅薄膜表面形成所述金屬薄膜。

11.如權利要求10所述的方法，其特征在于，所述金屬薄膜的厚度為1-100nm。

12.如權利要求8-11任一項所述的方法，其特征在于，所述金屬薄膜是鋁金屬薄膜、鎳金屬薄膜、鉻金屬薄膜或硅合金金屬薄膜。

13.如權利要求8所述的方法，其特征在于，采用等離子體化學氣相沉積PECVD的方式在所述硅襯底背面形成所述第一i型本征非晶硅薄膜以及在所述第一i型本征非晶硅薄膜表面形成所述p型非晶硅薄膜。

14.如權利要求8所述的方法，其特征在于，采用等離子體化學氣相沉積PECVD的方式在所述硅襯底正面形成所述第二i型本征非晶硅薄膜以及在所述第二i型本征非晶硅薄膜表面形成所述n型非晶硅薄膜。