[發(fā)明專利]基于標(biāo)準(zhǔn)工藝的低功耗低擦寫電壓的非易失性存儲器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410577656.X
• 申請日: 2014-10-24
• 公開（公告）號: CN104392747B
• 公開（公告）日: 2018-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李建成;李文曉;李聰;尚靖;王震;吳建飛;王宏義;谷曉忱;李松亭
• 申請（專利權(quán)）人: 中國人民解放軍國防科學(xué)技術(shù)大學(xué)
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C16/14
• 代理公司: 北京中濟(jì)緯天專利代理有限公司11429
• 代理人: 胡偉華

1.一種基于標(biāo)準(zhǔn)工藝的低功耗低擦寫電壓的非易失性存儲器，包括多個(gè)存儲單元，每個(gè)存儲單元由模塊A和模塊B組成，

模塊A由第一增壓管AM1、第二增壓管AM2、第一充電管AM3、第二充電管AM4四個(gè)晶體管構(gòu)成；其中，第一增壓管AM1和第二增壓管AM2是被連接成的電容形式的器件，第一增壓管的源極A04、漏極A05與第四N阱NW4相連構(gòu)成第三端口P3；第二增壓管AM2的源極A10、漏極A11與第五N阱NW5相連構(gòu)成第六端口P6；第一充電管AM3的源極A02與第一增壓管的柵極A06相連構(gòu)成端口AL1，第一充電管AM3的柵極A03引出作為第二端口P2，第一充電管AM3的漏極A01引出作為第一端口P1；第二充電管AM4的源極A08與第二增壓管的柵極A12相連構(gòu)成端口AL2，第二充電管AM4的柵極A09引出作為第五端口P5，第二充電管AM4的漏極A07引出作為第四端口P4；

模塊B由控制管BM1、隧穿管BM2、第一讀取管BM3、第二讀取管BM4、第一選擇管BM5和第二選擇管BM6構(gòu)成；其中，控制管BM1與隧穿管BM2與模塊A中的第一增壓管AM1、第二增壓管AM2類似，被連接成電容形式的器件；控制管BM1的源極B02、漏極B01、第一N阱NW1相連構(gòu)成端口BL1；隧穿管BM2的源極B04、漏極B05、第二N阱NW2相連構(gòu)成端口BL2；第一讀取管BM3的源極B07與其所在的第三N阱NW3和第二讀取管BM4的漏極B10相連后引出作為第七端口P7；控制管BM1的柵極B03、隧穿管BM2的柵極B06、第一讀取管BM3的柵極B09、第二讀取管BM4的柵極B12互連構(gòu)成封閉的浮柵FG；第一選擇管BM5的漏極B13與第一讀取管BM3的漏極B08相連接，第二讀取管BM4的源極與第二選擇管BM6的漏極B16相連接，第一選擇管BM5的柵極B15與第二選擇管的柵極B18相連引出作為第八端口P8，第一選擇管BM5的源極B14引出作為輸出端口DO1，第二選擇管BM6的源極B17引出作為輸出端口DO0；端口BL1與端口AL1連接，端口BL2與端口AL2連接。

2.如權(quán)利要求1所述的基于標(biāo)準(zhǔn)工藝的低功耗低擦寫電壓的非易失性存儲器，其特征在于：所述存儲單元中的控制管BM1的柵極面積大于隧穿管BM2、第一讀取管BM3和第二讀取管BM4的柵極面積，第一增壓管AM1、第二增壓管AM2的柵極面積為控制管BM1的柵極面積的一半。

3.如權(quán)利要求1所述的基于標(biāo)準(zhǔn)工藝的低功耗低擦寫電壓的非易失性存儲器，其特征在于：所述存儲單元中的第一增壓管AM1、第二增壓管AM2、控制管BM1、隧穿管BM2、第一讀取管BM3均為PMOS晶體管；第一充電管AM3、第二充電管AM4、第二讀取管BM4、第一選擇管BM5和第二選擇管BM6均為NMOS晶體管。

4.如權(quán)利要求3所述的基于標(biāo)準(zhǔn)工藝的低功耗低擦寫電壓的非易失性存儲器，其特征在于：所述存儲單元中的模塊A中第一增壓管AM1駐留在第四N阱NW4中，第二增壓管AM2駐留在第五N阱中，第一充電管AM3與第二充電管AM4駐留在第一P阱PW1中，其中，第一P阱PW1與地線GND相連；模塊B中的控制管BM1駐留在第一N阱NW1中，隧穿管BM2駐留在第二N阱NW2中，第一讀取管BM3駐留在第三N阱NW3中，第二讀取管BM4、第一選擇管BM5和第二選擇管BM6共同駐留在第一P阱PW1中。

5.如權(quán)利要求4所述的基于標(biāo)準(zhǔn)工藝的低功耗低擦寫電壓的非易失性存儲器，其特征在于：所述存儲單元中的第一增壓管AM1、第二增壓管AM2、控制管BM1、隧穿管BM2、第一讀取管、第一充電管AM3、第二充電管AM4、第二讀取管BM4、第一選擇管BM5和第二選擇管BM6的柵氧化層厚度均相同。

6.如權(quán)利要求1所述的基于標(biāo)準(zhǔn)工藝的低功耗低擦寫電壓的非易失性存儲器，其特征在于：所述存儲單元中的第一增壓管AM1、第二增壓管AM2、控制管BM1、隧穿管BM2、第一讀取管、第一充電管AM3、第二充電管AM4、第二讀取管BM4、第一選擇管BM5和第二選擇管BM6均為單層多晶硅柵結(jié)構(gòu)。

7.如權(quán)利要求1所述的基于標(biāo)準(zhǔn)工藝的低功耗低擦寫電壓的非易失性存儲器，其特征在于：所述存儲單元中的端口BL1、第七端口P7、端口BL2由于電容的耦合作用，將耦合之后的電勢疊加形成浮柵FG上的電勢。