[發明專利]一種降低釬料鍵合熱應力的方法及封裝芯片有效
| 申請號： | 201410577345.3 | 申請日： | 2014-10-24 |
| 公開（公告）號： | CN105525332B | 公開（公告）日： | 2018-11-09 |
| 發明（設計）人： | 俞挺;丁海艦;王敏銳 | 申請（專利權）人： | 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所 |
| 主分類號： | C25D15/00 | 分類號： | C25D15/00;C25D7/00 |
| 代理公司： | 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王鋒 |
| 地址： | 215123 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 降低 釬料鍵合熱 應力 方法 封裝 芯片 | ||
1.一種降低釬料鍵合熱應力的方法，其特征在于所述方法包括：采用電鍍的方法在芯片和基板上制作釬料，所使用的電鍍液中添加有直徑為0.01～10μm的微納級導電不溶性顆粒；所述微納級導電不溶性顆粒的熱膨脹系數介于釬料與基體的熱膨脹系數之間。
2.根據權利要求1所述的降低釬料鍵合熱應力的方法，其特征在于：所述微納級導電不溶性顆粒的顆粒形狀為球形、橢球形或不規則形狀。
3.根據權利要求1所述的降低釬料鍵合熱應力的方法，其特征在于：所述電鍍液中微納級導電不溶性顆粒的溶解度小于或等于1g/L。
4.根據權利要求1所述的降低釬料鍵合熱應力的方法，其特征在于：所述微納級導電不溶性顆粒的電阻率小于或等于0.1Ω·m。
5.根據權利要求1所述的降低釬料鍵合熱應力的方法，其特征在于：所述微納級導電不溶性顆粒為碳化硅或銀。
6.根據權利要求1所述的降低釬料鍵合熱應力的方法，其特征在于，所述方法進一步包括：在進行電鍍時，使微納級導電不溶性顆粒于電鍍液中均勻分布。
7.一種封裝芯片，其中半導體芯片和基板間通過電鍍的釬料進行鍵合，其特征在于：所述釬料中含有微納級導電不溶性顆粒，所述微納級導電不溶性顆粒的顆粒直徑為0.01～10μm，并且所述微納級導電不溶性顆粒的熱膨脹系數介于釬料與基體的熱膨脹系數之間。
8.根據權利要求7所述的封裝芯片，其特征在于：所述微納級導電不溶性顆粒的電阻率小于或等于0.1Ω·m。
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