[發(fā)明專利]一種雙柵極場效應晶體管電容的測試方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410576896.8 | 申請日: | 2014-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN104407229A | 公開(公告)日: | 2015-03-11 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李建成;徐順強;李聰;尚靖;李文曉;吳建飛;曾祥華;鄭黎明 | 申請(專利權(quán))人: | 中國人民解放軍國防科學技術(shù)大學 |
| 主分類號: | G01R27/26 | 分類號: | G01R27/26 |
| 代理公司: | 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429 | 代理人: | 胡偉華 |
| 地址: | 410073 湖*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 柵極 場效應 晶體管 電容 測試 方法 | ||
1.一種雙柵極場效應晶體管電容的測試方法,其特征在于,包括以下步驟:?
步驟1:采用單柵極場效應晶體管電容的測試方法,將源極(3)、漏極(4)、第二柵極(6)接地,在第一柵極(5)上加偏置和交流信號,測出第一柵極(5)對第一柵極(5)的電容Cg1_g1、第一柵極(5)對第二柵極(6)的電容Cg1_g2;?
步驟2:將源極3、漏極4、第一柵極5接地,在第二柵極上加偏置和交流信號,測出第二柵極(6)對第二柵極(6)的電容Cg2_g2、第二柵極(6)對第一柵極(5)的電容Cg2_g1;?
步驟3:根本步驟1和步驟2的測量結(jié)果,計算雙柵極場效應晶體管結(jié)構(gòu)的總的柵電容Cg,計算的公式如下:?
Cg=Cg1_g1+Cg1_g2+Cg2_g2+Cg2_g1。
2.如權(quán)利要求1所述的雙柵極場效應晶體管電容的測試方法,其特征在于:所述步驟1和步驟2中所述交流信號是電壓為0.1毫伏,頻率為1兆赫茲信號。?
3.如權(quán)利要求1所述的雙柵極場效應晶體管電容的測試方法,其特征在于:所述步驟1和步驟2中所述偏置為電壓從-1伏掃到1伏,步長為0.05伏。?
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國人民解放軍國防科學技術(shù)大學,未經(jīng)中國人民解放軍國防科學技術(shù)大學許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410576896.8/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





