[發(fā)明專利]一種FINFET結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410573220.3
• 申請日: 2014-10-23
• 公開（公告）號: CN105590961B
• 公開（公告）日: 2018-09-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉云飛;尹海洲
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06
• 代理公司: 北京漢昊知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11370
• 代理人: 朱海波

1.一種FINFET的制造方法，包括：

a.提供半導(dǎo)體襯底(100)，在所述半導(dǎo)體襯底(100)上形成鰭片(200)；

b.在所述鰭片(200)上方形成偽柵疊層(300)，并在偽柵疊層(300)兩側(cè)形成第一側(cè)墻(301)；

c.在所述偽柵疊層(300)兩側(cè)的鰭片(200)中形成橫向源漏擴(kuò)展區(qū)(210)；

d.在所述偽柵疊層(300)兩側(cè)的鰭片(200)中形成縱向源漏擴(kuò)展區(qū)(220)；

e.在所述偽柵疊層(300)兩側(cè)形成第二側(cè)墻(302)，在所述第二側(cè)墻(302)兩側(cè)的鰭片(200)中形成源漏區(qū)；

f.在所述鰭片(200)周圍的半導(dǎo)體襯底(100)上方形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)(400)，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)(400)包圍所述鰭片(200)的下半部分；在所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)(400)上方形成層間介質(zhì)層(500)，所述層間介質(zhì)層(500)頂部與所述偽柵疊層(300)頂部平齊；去除偽柵疊層(300)并形成柵極空位，在所述柵極空位中形成柵極疊層(600)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述橫向源漏擴(kuò)展區(qū)(210)和所述縱向源漏擴(kuò)展區(qū)(220)的摻雜類型相同，與襯底的摻雜類型相反。

3.根據(jù)權(quán)利要求1述的制造方法，其特征在于，所述橫向源漏擴(kuò)展區(qū)(210)的摻雜濃度大于所述縱向源漏擴(kuò)展區(qū)(220)的摻雜濃度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1述的制造方法，其特征在于，形成所述橫向源漏擴(kuò)展區(qū)(210)的方法是傾斜的離子注入。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述橫向源漏擴(kuò)展區(qū)(210)位于所述鰭片(200)中未被槽隔離結(jié)構(gòu)(400)包圍的區(qū)域內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述縱向源漏擴(kuò)展區(qū)(220)的方法是垂直的離子注入，其采用能量和劑量小于形成所述橫向源漏擴(kuò)展區(qū)(210)采用的能量和劑量。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述縱向源漏擴(kuò)展區(qū)(220)位于所述橫向源漏擴(kuò)展區(qū)(210)下方的鰭片(200)中。

8.一種FINFET結(jié)構(gòu)，包括：

半導(dǎo)體襯底(100)；

鰭片(200)，所述鰭片位于所述半導(dǎo)體襯底(100)上方；

柵極疊層(600)，所述柵極疊層(600)覆蓋所述鰭片(200)中間的區(qū)域；

第一側(cè)墻(301)，所述第一側(cè)墻位于所述柵極疊層(600)兩側(cè)；

橫向源漏擴(kuò)展區(qū)(210)，所述橫向源漏擴(kuò)展區(qū)(210)位于所述第一側(cè)墻(301)兩側(cè)的鰭片(200)中；

縱向源漏擴(kuò)展區(qū)(220)，所述縱向源漏擴(kuò)展區(qū)(220)位于所述橫向源漏擴(kuò)展區(qū)(210)下方的鰭片(200)中；

第二側(cè)墻(302)，所述第二側(cè)墻(302)位于所述第一側(cè)墻(301)兩側(cè)；

源漏區(qū)，所述源漏區(qū)位于所述第二側(cè)墻(302)兩側(cè)的鰭片(200)中；

淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)(400)，位于鰭片(200)周圍的半導(dǎo)體襯底(100)上方，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)(400)包圍所述鰭片(200)的下半部分；

層間介質(zhì)層(500)，所述層間介質(zhì)層(500)位于所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)(400)上方，覆蓋所述鰭片(200)兩側(cè)的區(qū)域，其頂部與所述柵極疊層(600)頂部平齊。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的FINFET結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述橫向源漏擴(kuò)展區(qū)(210)和所述縱向源漏擴(kuò)展區(qū)(220)的摻雜類型相同，與襯底的摻雜類型相反。

10.根據(jù)權(quán)利要求8述的FINFET結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述橫向源漏擴(kuò)展區(qū)(210)的摻雜濃度大于所述縱向源漏擴(kuò)展區(qū)(220)的摻雜濃度。