[發明專利]一種制備太陽能單晶背拋光電池片的方法

有效

• 申請號: 201410572702.7
• 申請日: 2015-08-04
• 公開（公告）號: CN104505425A
• 公開（公告）日: 2015-07-29
• 發明（設計）人: 趙鋒;陳健生;徐君
• 申請（專利權）人: 橫店集團東磁股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216
• 代理公司: 杭州杭誠專利事務所有限公司 33109
• 代理人: 尉偉敏

1.一種制備太陽能單晶背拋光電池片的方法，其特征是，通過改進擴散工藝參數，在單晶硅片表面生成了一定厚度和密度的PSG，然后再對太陽能單晶硅片進行背拋光，最后制成太陽能電池片，具體操作步驟如下：

(1)經過清洗制絨后的單晶硅片，使用管式擴散爐進行擴散，在常規磷擴散工藝中改進預氧化和預沉積工藝，并增加高溫擴散推進氧化工藝和降溫氧化工藝；

(2)對單晶硅片進行制絨擴散后，在濕法刻蝕槽中刻蝕除去背面的PSG和PN結；

(3)在超聲清洗鼓泡槽中用具有一定溫度的加有無水乙醇的氫氧化鈉溶液進行背拋光；

(4)對背拋光后的單晶硅片用HF進行酸洗、水洗和干燥；

(5)運用PECVD在單晶硅片正面沉積氮化硅，并進行電極印刷與燒結。

2.根據權利要求1所述的一種制備太陽能單晶背拋光電池片的方法，其特征是，在步驟(1)中，預氧化和預沉積工藝為，在一定溫度下，首先對硅片進行一定時間的預氧化，預氧化時通入的氧氣體積含量為30％-40％，然后進行一定時間的預沉積，預沉積時通入的擴散氮體積含量為8％-11％，氧氣體積含量為8％-13％。

3.根據權利要求1所述的一種制備太陽能單晶背拋光電池片的方法，其特征是，在步驟(1)中，高溫擴散推進氧化工藝為，升溫到一定溫度對硅片進行高溫擴散推進氧化，在高溫擴散推進時通入一定量的氧氣，高溫擴散推進時通入的氧氣體積含量為10％-30％。

4.根據權利要求1所述的一種制備太陽能單晶背拋光電池片的方法，其特征是，在步驟(1)中，降溫氧化工藝為，降溫到一定溫度對硅片進行降溫氧化，在降溫時通入一定量的氧氣，降溫時通入的氧氣體積含量為10％-30％。

5.根據權利要求2所述的一種制備太陽能單晶背拋光電池片的方法，其特征是，預氧化和預沉積工藝是，在800-830℃的溫度下，首先對硅片進行10-15min的預氧化，然后進行8-12min的預沉積。

6.根據權利要求3所述的一種制備太陽能單晶背拋光電池片的方法，其特征是，高溫擴散推進氧化工藝是，升溫到850-870℃對硅片進行高溫擴散推進氧化，其中升溫推進時間為5-9min，恒溫推進時間為4-10min。

7.根據權利要求4所述的一種制備太陽能單晶背拋光電池片的方法，其特征是，降溫氧化工藝是，降溫到800-810℃對硅片進行降溫氧化，降溫時間為9-15min。

8.根據權利要求1或2或3或4或5或6或7所述的一種制備太陽能單晶背拋光電池片的方法，其特征是，在步驟(1)中，經預氧化和預沉積工藝、增加高溫擴散推進氧化工藝和降溫氧化工藝之后，所得的硅片PSG膜厚為30-70nm。

9.根據權利要求1所述的一種制備太陽能單晶背拋光電池片的方法，其特征是，在步驟(2)中，在濕法刻蝕槽中用HF和HNO₃溶液去除其背面PSG和PN結。

10.根據權利要求1所述的一種制備太陽能單晶背拋光電池片的方法，其特征是，在步驟(3)中，氫氧化鈉的濃度為100g/L-160g/L，溫度為60℃-75℃，無水乙醇的濃度為5mL/L-15mL/L，拋光處理時間為120s-600s。