[發明專利]一種晶體硅太陽能電池氮化硅減反射膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201410572091.6
• 申請日: 2014-12-01
• 公開（公告）號: CN104332505A
• 公開（公告）日: 2015-02-04
• 發明（設計）人: 傅強;董道宴;張崇超;劉代軍;陳紅玉;匡英;汪雙
• 申請（專利權）人: 九州方園新能源股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/18;B32B5/14;B32B9/00;C23C16/34;C23C16/503;C23C16/52
• 代理公司: 宜昌市三峽專利事務所 42103
• 代理人: 蔣悅

1.一種晶體硅太陽能電池氮化硅減反射膜，其特征在于：所述減反射膜包括沉積在硅晶體表面的至少4層折射率和膜厚不等的氮化硅薄膜，各層厚度至下而上先厚再薄逐漸交替變厚?，折射率至下而上先小后大逐漸交錯減小。

2.根據權利要求1所述的晶體硅太陽能電池氮化硅減反射膜，其特征在于：所述的減反射膜包括沉積在硅晶體表面5層折射率和膜厚不等的氮化硅薄膜，最底層為硅片基層，折射率為2.0-.205；第二層折射率為2.2-2.35；第三層折射率為1.9-1.95；第四層折射率為2.1-2.2；第5層折射率為1.8-1.9。

3.一種晶體硅太陽能電池氮化硅減反射膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

1）、清洗磷擴散后的硅基片保證表面硅片表面疏水性良好及干凈無水漬；

2）、將清洗好的硅基片按常規方法插入石墨舟，放入PECVD設備石英管內，把石英管內抽真空并升溫至400℃－500℃，恒溫300S－500S；

3）、當設備抽真空到10?mttor以下后，往PECVD設備抽真空后的石英管內通入4000?SCCM－7000?SCCM的NH₃氣體，并使石英管內的壓強保持在1500?mttor至2000?mttor，保持恒壓1－2min，將高頻電源功率設置為4000W－7000W，開啟高頻電源，同時保持NH₃氣體的流量不變，通入NH₃氣體時間為120S－300S；

4）、所述步驟3）完畢后，斷開高頻電源，向石英管內通入300?SCCM－600?SCCM的SiH₄氣體和2500?SCCM至5000?SCCM的N₂氣體，并保持恒壓在1800?mttor－2400?mttor，時間保持60S，然后高頻設置為7000W至9500W并啟，沉積90S－150S后，斷開SiH₄氣體和N₂氣體的通入，關閉高頻電源；

5)、所述步驟4）完畢后，向石英管內通入NH₃氣體1800SCCM－3000?SCCM和SiH₄氣體600?SCCM－900?SCCM，在恒壓1600?mttor－2200?mttor下，保持60S，然后開啟高頻，并控制高頻為4000W－6000W，沉積40－60秒后斷開NH₃?、SiH₄和高頻電源；

6）、所述步驟5）完畢后，向石英管內充N₂氣體及抽真空，清洗30—60S，當石英管內壓強小于10?mttor?，向石英管內通入300?SCCM－600?SCCM的SiH₄氣體和4000?SCCM－6000?SCCM的N₂氣體，在1800?mttor－2400?mttor恒壓下，保持60S，然后高頻設置為7000W－9500W并啟，沉積150S－200S后斷開SiH₄氣體和N₂氣體，并關閉高頻電源；

7)、所述步驟5）完畢后，向石英管內通入NH₃氣體3000SCCM－5000?SCCM和SiH₄氣體600?SCCM－900?SCCM，在1600?mttor－2200?mttor恒壓下，保持60S，開起高頻，并控制高頻為4000W－6000W并開啟，沉積60-80秒后斷開NH₃?、SiH₄和高頻電源；

8)、所述步驟5）完畢后，向石英管內充N₂氣體再抽真空，清洗30—60S，當石英管內小于10?mttor，向石英管內通入300?SCCM－500?SCCM的SiH₄氣體和4000?SCCM?－7500?SCCM的N₂氣體，在1800?mttor－2400?mttor恒壓下保持60S，然后高頻設置為7000W－9500W并啟，沉積200S－300S后斷開SiH₄氣體和N₂氣體，并關閉高頻電源，抽真空并清掃管內殘于氣體。

4.根據權利要求3所述的晶體硅太陽能電池氮化硅減反射膜的制備方法，其特征在于，步驟4）中SiH₄和N₂的比值控制在1：8，膜厚保持在15±2nm。