[發明專利]一種快速制備高性能AgBiSe2塊體熱電材料的方法

有效

• 申請號: 201410571388.0
• 申請日: 2014-10-23
• 公開（公告）號: CN104404284B
• 公開（公告）日: 2017-02-15
• 發明（設計）人: 唐新峰;劉嬋;蘇賢禮;楊東旺
• 申請（專利權）人: 武漢理工大學
• 主分類號: C22C1/05
• 分類號: C22C1/05;C22C30/00
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司42102
• 代理人: 唐萬榮,張秋燕

1.一種快速制備高性能AgBiSe₂塊體熱電材料的方法，其特征在于它包括如下步驟：

1)按照化學計量比1:1:2分別稱量Ag粉、Bi粉、Se粉作為原料，然后將各原料粉末研磨混合均勻后壓制成塊體；

2)將步驟1)所得塊體進行熱爆反應，反應完成之后自然冷卻，得到單相AgBiSe₂化合物；

3)將步驟2)中所得AgBiSe₂化合物研磨成粉，進行放電等離子體活化燒結，得到高性能AgBiSe₂塊體熱電材料。

2.根據權利要求1所述的一種快速制備高性能AgBiSe₂塊體熱電材料的方法，其特征在于所述步驟1)中Ag粉、Bi粉、Se粉的純度均≥99.9％。

3.根據權利要求1所述的一種快速制備高性能AgBiSe₂塊體熱電材料的方法，其特征在于所述步驟1)中壓制工藝為6MPa下保壓5min。

4.根據權利要求1所述的一種快速制備高性能AgBiSe₂塊體熱電材料的方法，其特征在于所述熱爆反應所用氣氛為空氣氣氛或真空或惰性氣體氣氛。

5.根據權利要求1所述的一種快速制備高性能AgBiSe₂塊體熱電材料的方法，其特征在于所述步驟2)中熱爆反應采用整體加熱方式對所述塊體進行加熱，整體起爆引發熱爆反應。

6.根據權利要求4所述的一種快速制備高性能AgBiSe₂塊體熱電材料的方法，其特征在于所述熱爆過程中所采用的起爆溫度為830℃以上。

7.根據權利要求1所述的一種快速制備高性能AgBiSe₂塊體熱電材料的方法，其特征在于所述步驟3)粉末進行放電等離子體活化燒結的過程為：將粉末模具中壓實，然后在真空小于10Pa和燒結壓力為30-50MPa條件下進行燒結，燒結溫度為550-650℃，燒結時間為3-7min。

8.根據權利要求1-7所述的AgBiSe₂塊體熱電材料，其特征在于所述AgBiSe₂塊體熱電材料ZT在550℃達到0.85。