[發(fā)明專利]垂直形貌修整

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410571349.0
• 申請日: 2006-09-29
• 公開（公告）號: CN104392906A
• 公開（公告）日: 2015-03-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: S·M·列扎·薩賈迪;彼得·西里格利亞諾;金智洙;黃志松;埃里克·A·赫德森
• 申請（專利權(quán)）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/311
• 代理公司: 上海勝康律師事務(wù)所 31263
• 代理人: 李獻忠

1.一種用于在蝕刻層中蝕刻特征的方法，包括：

在所述蝕刻層上形成具有光刻膠特征的圖案化光刻膠掩模，所述光刻膠特征具有側(cè)壁，其中所述光刻膠特征的所述側(cè)壁具有沿所述光刻膠特征的深度的不規(guī)則形貌；

修正沿所述光刻膠特征的所述側(cè)壁的所述光刻膠特征的深度的所述不規(guī)則形貌，所述修正包括至少一個循環(huán)，其中每個循環(huán)包括：

采用沉積氣體進行的側(cè)壁沉積階段；以及

采用形貌成形氣體進行的形貌成形階段,所述形貌成形階段在所述側(cè)壁沉積階段之后進行；

在修正所述不規(guī)則形貌后,穿過所述光刻膠特征將特征蝕刻入所述蝕刻層；以及

去除所述掩模,

其中所述側(cè)壁沉積階段包括：

提供沉積氣體，所述沉積氣體包括碳氫化合物、碳氟化合物和氫氟碳化合物中的至少一種；

從所述沉積氣體形成等離子體；以及

停止所述沉積氣體的流動,

其中所述形貌成形階段包括：

提供形貌成形氣體，所述形貌成形氣體包括C_xF_y、NF₃和C_xH_yF_z中的至少一種；

從所述形貌成形氣體形成等離子體；以及

停止所述形貌成形氣體的流動。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述不規(guī)則形貌是傾斜側(cè)壁、頸狀收縮的側(cè)壁、退化側(cè)壁和駐波變形側(cè)壁中的至少一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中對沿所述光刻膠特征的深度的不規(guī)則形貌的修正將所述光刻膠特征的側(cè)壁轉(zhuǎn)變?yōu)榇怪毙蚊矀?cè)壁。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述垂直形貌側(cè)壁是從底部到頂部與所述光刻膠特征的底部成88°到90°角的側(cè)壁。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述沉積氣體進一步包括氧化添加劑和還原添加劑中的至少一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述沉積氣體進一步包括運載氣體。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述形貌成形氣體進一步包括氧化添加劑和還原添加劑中的至少一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述形貌成形氣體進一步包括運載氣體。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述修正所述不規(guī)則形貌包括多個循環(huán)。

10.一種用于在蝕刻層中蝕刻具有垂直形貌側(cè)壁的特征的方法，包括：

在所述蝕刻層上形成具有光刻膠特征的圖案化光刻膠掩模，所述光刻膠特征具有側(cè)壁，其中所述光刻膠特征的所述側(cè)壁具有非垂直形貌側(cè)壁；

修正所述非垂直形貌側(cè)壁以形成具有垂直形貌側(cè)壁的光刻膠特征，所述修正包括多個循環(huán)，其中每個循環(huán)包括：

采用沉積氣體進行的側(cè)壁沉積階段；以及

采用形貌成形氣體進行的形貌成形階段，所述形貌成形階段在所述側(cè)壁沉積階段之后進行；

修正所述非垂直形貌側(cè)壁后，穿過所述光刻膠特征將具有垂直形貌側(cè)壁的特征蝕刻入所述蝕刻層；以及

去除所述掩模,

其中所述側(cè)壁沉積階段包括：

提供沉積氣體，所述沉積氣體包括碳氫化合物、碳氟化合物和氫氟碳化合物中的至少一種以及氧化添加劑和還原添加劑中的至少一種；

從所述沉積氣體形成等離子體；以及

停止所述沉積氣體的流動,

其中所述形貌成形階段包括：

提供形貌成形氣體，所述形貌成形氣體包括C_xF_y、NF₃和C_xH_yF_z中的至少一種以及氧化添加劑和還原添加劑中的至少一種；

從所述形貌成形氣體形成等離子體；以及

停止所述形貌成形氣體的流動。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中對沿所述光刻膠特征的深度的非垂直形貌的修正將所述光刻膠特征的側(cè)壁轉(zhuǎn)變?yōu)榇怪毙蚊矀?cè)壁。