[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410571346.7
• 申請日: 2014-10-23
• 公開（公告）號: CN105590854B
• 公開（公告）日: 2019-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 秦長亮;殷華湘;李俊峰;趙超
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京藍(lán)智輝煌知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11345
• 代理人: 陳紅

1.一種半導(dǎo)體器件制造方法，包括：

在襯底表面形成襯墊層；

穿過襯墊層對襯底執(zhí)行離子注入，在襯底表面上形成穿通阻擋層，襯墊層用于在離子注入過程中通過吸收、俘獲機(jī)制而控制注入的摻雜劑的濃度分布；

去除襯墊層，暴露穿通阻擋層的表面；

在穿通阻擋層上外延生長半導(dǎo)體材料層；

在半導(dǎo)體材料層上形成掩膜圖形；

利用掩膜圖形依次刻蝕半導(dǎo)體材料層和穿通阻擋層，直至進(jìn)入襯底中，在襯底上形成包含了半導(dǎo)體材料層和穿通阻擋層的多個鰭片；

在多個鰭片之間的襯底上形成淺溝槽隔離。

2.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，采用低注入能量、高注入劑量的離子注入形成高摻雜、淺結(jié)深的穿通阻擋層。

3.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，去除襯墊層之前進(jìn)一步包括，采用高注入能量、低注入劑量的離子注入形成低摻雜、深結(jié)深的阱區(qū)。

4.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，形成掩膜圖形的工藝為光刻/刻蝕工藝，或者側(cè)墻轉(zhuǎn)移工藝。

5.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，形成淺溝槽隔離之后進(jìn)一步包括，在多個鰭片頂部形成蓋層。

6.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，半導(dǎo)體材料層為一層或者多層，每一層材料選自II、III、IV、V、VI族半導(dǎo)體材料的一種或其組合。

7.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，半導(dǎo)體材料層的材質(zhì)為高遷移率材料或單晶硅。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，所述高遷移率材料為單晶鍺、鍺硅、III-V族化合物半導(dǎo)體、II-VI族化合物半導(dǎo)體。

9.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，穿通阻擋層中含有的摻雜離子使其導(dǎo)電類型與將要形成的器件的源漏區(qū)離子類型相反。

10.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，淺溝槽隔離的頂部高于穿通阻擋層的底部，并且低于穿通阻擋層的頂部。