[發明專利]一種銅鋅錫硫納米晶的納米澆注合成方法

有效

• 申請號: 201410571181.3
• 申請日: 2014-10-23
• 公開（公告）號: CN104370302A
• 公開（公告）日: 2015-02-25
• 發明（設計）人: 高濂;王靜;張鵬;宋雪峰
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: C01G19/00
• 分類號: C01G19/00;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 上海旭誠知識產權代理有限公司 31220
• 代理人: 鄭立

1.一種銅鋅錫硫納米晶的納米澆注合成方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、配制前驅液：將銅源、鋅源、錫源和硫源共同溶解到甲醇或者乙醇溶劑中，攪拌直至溶液澄清透明；

步驟二、將介孔二氧化硅作為模板與步驟一制得的所述前驅液混合攪拌，直至溶劑揮發干；

步驟三、將步驟二得到的樣品置于保護氣氛中煅燒；

步驟四、將步驟三得到的樣品用氫氟酸溶液、氫氧化鈉或者氫氧化鉀溶液處理，然后用去離子水和乙醇進行多次離心清洗，再經過干燥處理，得到銅鋅錫硫納米晶。

2.如權利要求1所述的合成方法，其特征在于，所述銅源為醋酸銅或者氯化銅或其組合，所述鋅源為氯化鋅或醋酸鋅或其組合，所述錫源為氯化亞錫，所述硫源為硫脲。

3.如權利要求2所述的合成方法，其特征在于，所述銅源、鋅源、錫源和硫源的摩爾比為0.5～2:1:0.5～1:4～20。

4.如權利要求1所述的合成方法，其特征在于，步驟二中，所述介孔二氧化硅為SBA-15。

5.如權利要求1所述的合成方法，其特征在于，步驟二中混合時所述銅源、鋅源、錫源和硫源的總質量與所述模板的質量比為0.01～10:0.3。

6.如權利要求1所述的合成方法，其特征在于，步驟三中，所述煅燒的溫度為200～600℃，所述煅燒的時間為1～10小時。

7.如權利要求1所述的合成方法，其特征在于，步驟三中，所述保護氣氛包括氮氣和氬氣。

8.如權利要求1所述的合成方法，其特征在于，步驟四中，所述干燥的溫度為60℃。

9.一種根據上述任一權利要求所述方法合成得到的銅鋅錫硫納米晶，其特征在于，所述銅鋅錫硫納米晶的形態為納米棒或納米顆粒或其組合。

10.如權利要求9所述的銅鋅錫硫納米晶，其特征在于，所述銅鋅錫硫納米晶的直徑為4-20nm，長度為5-200nm。