[發明專利]蝕刻液組合物及蝕刻方法

在審

• 申請號: 201410571102.9
• 申請日: 2014-10-23
• 公開（公告）號: CN104611700A
• 公開（公告）日: 2015-05-13
• 發明（設計）人: 黃若涵;吳光耀;黃宜琤;羅致遠;盧厚德
• 申請（專利權）人: 達興材料股份有限公司
• 主分類號: C23F1/18
• 分類號: C23F1/18;C23F1/30
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 秦劍

1.一種蝕刻液組合物，用于蝕刻含銅及含鉬的多層薄膜，其中基于該蝕刻液組合物為100重量百分比，該蝕刻液組合物包含：

過氧化氫；

第一有機酸或其鹽類，該第一有機酸與銅的螯合常數大于、等于0且小于6，該第一有機酸添加比例為5.5重量百分比至17.5重量百分比；

第二有機酸或其鹽類，該第二有機酸與銅的螯合常數大于、等于6且小于18.5；以及

醇胺化合物，該醇胺化合物具有一個以上的胺基與一個以上的羥基。

2.如權利要求1所述的蝕刻液組合物，其中該第一有機酸為甲酸、醋酸、丙酸、丁酸、戊酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、苯甲酸、脫氫乙酸、反丁烯二酸、馬來酸、甘油酸、乳酸、乙醇酸、蘋果酸、叔戊酸、丙酮酸、或酒石酸。

3.如權利要求1所述的蝕刻液組合物，其中該第二有機酸為檸檬酸、葡萄糖酸、次氮基三乙酸、甘氨酸、亞氨基二乙酸、N,N-二(2-羥乙基)甘氨酸、N-(2-羥乙基)亞氨基二乙酸(N-(2-hydroxyethyl)iminodiacetic?acid，HIDA/EA)、丙氨酸、天門冬氨酸、半胱氨酸、龍膽酸、谷氨酸、甘氨酰甘氨酸、甘氨酰肌氨酸、組氨酸、亮氨酸、焦磷酸、水楊酸、肌氨酸或纈氨酸。

4.如權利要求1所述的蝕刻液組合物，其中該醇胺化合物為具有至少一個氮原子、一個以上的羥基且具有2至8個碳原子的鏈狀化合物。

5.如權利要求4所述的蝕刻液組合物，其中該醇胺化合物為三乙醇胺、異丙醇胺、二甘醇胺、異丁醇胺、二異丙醇胺、2-乙胺基乙醇或2-甲胺基乙醇。

6.如權利要求1所述的蝕刻液組合物，更包含：

環胺化合物或其衍生物。

7.如權利要求6所述的蝕刻液組合物，其中該環胺化合物為二唑(Diazole)或三唑(Triazole)。

8.如權利要求1所述的蝕刻液組合物，更包含：

無機酸，該無機酸排除含氟酸。

9.如權利要求8所述的蝕刻液組合物，其中該無機酸為硫酸、磷酸或硝酸。

10.如權利要求1所述的蝕刻液組合物，更包含：

苯酚磺酸或其衍生物。

11.如權利要求1至10中任一項所述的蝕刻液組合物，其中基于該蝕刻液組合物為100重量百分比，該蝕刻液組合物包含：

5.5重量百分比至8.5重量百分比的該過氧化氫；

7重量百分比至17重量百分比的該第一有機酸或其鹽類；

2重量百分比至8重量百分比的該第二有機酸或其鹽類；以及

5重量百分比至20重量百分比的該醇胺化合物。

12.如權利要求11所述的蝕刻液組合物，更包含：

30重量百分比至80.5重量百分比的水。

13.如權利要求1至10中任一項所述的蝕刻液組合物，其中該蝕刻液組合物的pH為3至6。

14.一種蝕刻方法，包含：

使用如權利要求1至10中任一項所述的蝕刻組合物蝕刻該含銅及含鉬的多層薄膜，其中該含銅及含鉬多層薄膜包含至少一含銅層與至少一含鉬層，且該含銅層的厚度大于該含鉬層的厚度。

15.一種蝕刻方法，包含：

使用如權利要求11所述的蝕刻組合物蝕刻該含銅及含鉬的多層薄膜，其中該含銅及含鉬多層薄膜包含至少一含銅層與至少一含鉬層，且該含銅層的厚度大于該含鉬層的厚度。