[發明專利]一種用于硅片刻蝕反應腔室清洗的方法在審
| 申請號: | 201410568055.2 | 申請日: | 2014-10-23 |
| 公開(公告)號: | CN105583206A | 公開(公告)日: | 2016-05-18 |
| 發明(設計)人: | 張棟 | 申請(專利權)人: | 青島百鍵城環保科技有限公司 |
| 主分類號: | B08B9/08 | 分類號: | B08B9/08 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 266300 山東省*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 硅片 刻蝕 反應 清洗 方法 | ||
【權利要求書】:
1.所述的揮發性物質包括SiF4和/或C02和/或CO。
2.根據權利要求1所述的反應腔室清洗的方法,其特征在于,所述步驟B中所用的工藝氣體包括He氣和/或N2氣。
3.根據權利要求8所述的反應腔室清洗的方法,其特征在于,所述的He氣和/或N2氣的總流量為100?200sccm。
4.根據權利要求1所述的反應腔室清洗的方法,其特征在于,所述的反應腔室連接有擺閥;
所述步驟B中,擺閥釆用位置模式控制,且擺閥幵到最大,工藝氣體通過擺閥將所述揮發性物質帶出反應腔室。
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