[發(fā)明專(zhuān)利]一種陣列基板及其制備方法、柔性顯示面板和顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410567471.0 | 申請(qǐng)日: | 2014-10-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104393014B | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-09-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 高濤;周偉峰 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/32 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11291 | 代理人: | 黃志華 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 陣列 及其 制備 方法 柔性 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,包括劃分為顯示區(qū)和外圍區(qū)的柔性基板,所述外圍區(qū)包圍所述顯示區(qū);其特征在于,還包括:
依次形成于所述顯示區(qū)的所述柔性基板上的有陣列層和第一膜層;
形成于所述外圍區(qū)的所述柔性基板上的多個(gè)集成電路元件和柔性線路板接口;
形成于所述外圍區(qū)與所述第一膜層的交界處、以及形成于所述外圍區(qū)除所述集成電路元件和所述柔性線路板接口之外的所述柔性基板上的柔性保護(hù)膜層。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述柔性保護(hù)膜層的材料為環(huán)氧樹(shù)脂類(lèi)粘結(jié)劑、硅膠類(lèi)粘結(jié)劑或紫外光固化粘結(jié)劑。
3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述柔性保護(hù)膜層的粘度范圍為40~50Pa·s,所述柔性保護(hù)膜層固化后的剪切強(qiáng)度為25~35MPa,所述柔性保護(hù)膜層固化后的剝離力強(qiáng)度為9~12KN/m。
4.如權(quán)利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述柔性保護(hù)膜層的厚度為5~15微米。
5.如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一膜層為阻隔膜層,所述阻隔膜層為摻雜富硅氮化硅SiNx或一氧化硅SiO的聚萘二甲酸乙二醇脂PEN薄膜、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇脂PET薄膜或聚酰亞胺PI薄膜中的一種或者任意組合的復(fù)合膜層。
6.如權(quán)利要求5所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括設(shè)置于所述陣列層和所述阻隔膜層之間的有機(jī)電致發(fā)光OLED膜層。
7.如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一膜層為電子墨水顯示膜層。
8.一種柔性顯示面板,其特征在于,包括如權(quán)利要求1至7任意一項(xiàng)所述的陣列基板。
9.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求8所述的柔性顯示面板。
10.一種陣列基板的制備方法,其特征在于,包括:
提供一柔性基板,所述柔性基板劃分為顯示區(qū)和外圍區(qū)的柔性基板,所述外圍區(qū)包圍所述顯示區(qū);
在所述顯示區(qū)的所述柔性基板上依次形成陣列層和第一膜層;
在所述外圍區(qū)的所述柔性基板上形成多個(gè)集成電路元件和柔性線路板接口;
在所述外圍區(qū)與所述第一膜層交界處、以及所述外圍區(qū)除所述集成電路元件和所述柔性線路板接口之外的所述柔性基板上形成柔性保護(hù)膜層。
11.如權(quán)利要求10所述的制備方法,其特征在于,在所述外圍區(qū)與所述第一膜層交界處、以及所述外圍區(qū)除所述集成電路元件和所述柔性線路板接口之外的所述柔性基板上形成柔性保護(hù)膜層,包括:
在所述外圍區(qū)與所述第一膜層交界處、以及所述外圍區(qū)除所述集成電路元件和所述柔性線路板接口之外的所述柔性基板上涂覆厚度為5~15微米的環(huán)氧樹(shù)脂類(lèi)粘結(jié)劑材料或硅膠類(lèi)粘結(jié)劑材料,在室溫下固化60分鐘形成所述柔性保護(hù)膜層;或者,
在所述外圍區(qū)與所述第一膜層交界處、以及所述外圍區(qū)除所述集成電路元件和所述柔性線路板接口之外的所述柔性基板上涂覆厚度為5~15微米的紫外光固化粘結(jié)劑材料,通過(guò)紫外光固化形成所述柔性保護(hù)膜層。
12.如權(quán)利要求11所述的制備方法,其特征在于,在所述顯示區(qū)的所述柔性基板上依次形成所述陣列層和所述第一膜層之前,還包括在所述陣列層和所述第一膜層之間形成OLED膜層;其中,所述第一膜層為阻隔膜層,所述阻隔膜層為摻雜SiNx或SiO的聚萘二甲酸乙二醇脂PEN薄膜、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇脂PET薄膜或聚酰亞胺PI薄膜中的一種或者任意組合的復(fù)合膜層。
13.如權(quán)利要求10所述的制備方法,其特征在于,所述第一膜層為電子墨水顯示膜層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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