[發(fā)明專利]一種金屬電極貼片的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410566837.2
• 申請(qǐng)日: 2014-10-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104362227A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-02-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張宏;徐曉宙;徐曉斌;王勇;王恒海
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安交通大學(xué)蘇州研究院
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00;H01L33/48;H01L33/36
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103
• 代理人: 范晴

1.一種金屬電極貼片的制備方法，其包括以下的步驟：

(1)選用至少表層為氮化物的支撐基片，對(duì)所述支撐基片進(jìn)行表面親水性處理；

(2)把金屬導(dǎo)電漿料根據(jù)預(yù)先設(shè)計(jì)好電極圖案印刷在處理后的支撐基片上，低溫烘干，冷卻到常溫后，再高溫?zé)Y(jié)；

(3)待支撐基片冷卻后，采用帶有粘性層的薄膜將燒結(jié)后的金屬電極從支撐基片上粘下來(lái)，然后貼在保護(hù)膜上，形成電極貼片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，支撐基片選自硅片或耐高溫陶瓷。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述硅片選自單晶硅和多晶硅片，包括半導(dǎo)體或太陽(yáng)能電池硅片，拋光后在其表面鍍上一層氮化硅薄膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述耐高溫陶瓷包括不含氧化物的氮化物陶瓷和氧化物陶瓷。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述不含氧化物的氮化物陶瓷為氮化硅或氮化鋁陶瓷，經(jīng)過(guò)表面拋光處理，拋光后陶瓷表面粗糙度Ra<0.01。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述氧化物陶瓷為二氧化硅，氧化鋯，拋光成鏡面后在其表面鍍上一層氮化硅薄膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求3或6所述的制備方法，其特征在于，所述的氮化硅薄膜采用PECVD，等離子濺射方法形成，所述氮化硅薄膜厚度為50～200nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，對(duì)支撐基片表面進(jìn)行親水性處理方式選自等離子處理、臭氧處理、氨水/雙氧水/水溶液的加熱處理方式之一。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述支撐基片在使用一次后進(jìn)行清洗，再一次表面親水性處理后可以重復(fù)使用。