[發(fā)明專利]半導體器件結構及制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410566501.6 | 申請日： | 2014-10-22 |
| 公開（公告）號： | CN104916617A | 公開（公告）日： | 2015-09-16 |
| 發(fā)明（設計）人： | 李立國;劉永盛;劉宜臻;賴怡仁;陳俊仁;鄭錫圭 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/498 | 分類號： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識產(chǎn)權代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李偉 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 結構 制造 方法 | ||
1.一種半導體器件結構，包括：
半導體襯底；
介電層，位于所述半導體襯底上方；
導電跡線，位于所述介電層上方；
導電部件，位于所述導電跡線上方，其中，所述導電部件的寬度基本上等于或大于所述導電跡線的最大寬度；以及
導電凸塊，位于所述導電部件上方。
2.根據(jù)所述權利要求1所述的半導體器件結構，其中，所述導電部件在所述導電跡線的側壁上方延伸。
3.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件結構，其中，所述導電部件的側壁與所述導電跡線的側壁對準。
4.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件結構，還包括：
第二導電部件，位于所述導電跡線上方；以及
第二導電凸塊，位于所述第二導電部件上方。
5.根據(jù)權利要求4所述的半導體器件結構，其中，所述第二導電部件的寬度基本上等于或大于所述導電跡線的所述最大寬度。
6.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件結構，還包括：
襯底；以及
第二導電跡線，位于所述襯底上方，其中，所述第二導電跡線與所述導電凸塊接合。
7.根據(jù)權利要求6所述的半導體器件結構，其中，沿著一個方向限定所述導電部件的所述寬度，
所述導電跡線具有沿著所述方向限定的第二寬度；以及
所述寬度與所述第二寬度的比率在約0.5至約2的范圍內(nèi)。
8.根據(jù)權利要求6所述的半導體器件結構，還包括位于所述襯底和所述半導體襯底之間的保護材料，其中，所述保護材料圍繞所述導電跡線、所述導電凸塊、所述導電部件以及所述第二導電跡線。
9.一種半導體器件結構，包括：
半導體襯底；
介電層，位于所述半導體襯底上方；
導電跡線，位于所述介電層上方；
導電部件，位于所述導電跡線上方，其中，所述導電部件基本上延伸超過所述導電跡線；以及
導電凸塊，位于所述導電部件上方。
10.一種用于形成半導體器件結構的方法，包括：
在半導體襯底上方形成介電層；
在所述介電層上方形成導電跡線；
在所述導電跡線上方形成導電部件，其中，所述導電部件的寬度基本上等于或大于所述導電跡線的最大寬度；以及
在所述導電部件上方形成導電凸塊。
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