[發明專利]菌草鹿角靈芝高產栽培技術在審
| 申請號: | 201410565585.1 | 申請日: | 2014-10-22 |
| 公開(公告)號: | CN105580632A | 公開(公告)日: | 2016-05-18 |
| 發明(設計)人: | 李威 | 申請(專利權)人: | 李威 |
| 主分類號: | A01G1/04 | 分類號: | A01G1/04 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 鹿角 靈芝 高產 栽培技術 | ||
技術領域
本發明屬于農業種植技術領域,尤其是涉及一種菌草鹿角靈芝的種植方法。
背景技術
菌草鹿角靈芝是一種藥材,擔子果一年生,有柄,木栓質。菌蓋半圓形或近匙形,表面紅褐色,有時呈紫褐色,有似漆樣光澤。靈芝屬高溫性菌類,在15~35℃之間均能生長,適溫為25~30℃。子實體在10~32℃的范圍內均能生長,但原基分化和子實體發育的最適溫度為25~28℃。低于25℃,子實體生長緩慢,皮殼色澤也差;高于35℃,子實體會死亡。靈芝生長需要較高的濕度。隨著晝夜溫差的增大,菌絲長滿袋的時間延長。靈芝是好氣性真菌,它的整個生長發育過程中都需要新鮮的空氣。尤其是子實體生長發育階段,對二氧化碳更為敏感。當空氣中二氧化碳含量增至0.1%時,子實體就不能開傘,長成鹿角狀分枝,含量達1%時,子實體發育極不正常,無任何組織分化,形成畸形。靈芝在生長發育過程中對光線非常敏感,光線對菌絲生長有明顯的抑制作用,無光黑暗條件生長速度最快,當照度增加到3000勒克斯時,生長速度只有全黑暗條件下的一半。子實體生長發育不可缺少光照,在1500~5000勒克斯,菌柄、菌蓋生長迅速,粗壯,蓋厚。鹿角靈芝比較稀有,對鹿角靈芝的栽培技術要求非常高,現有的鹿角靈芝栽培技術對鹿角靈芝的長勢促進作用不明顯,對鹿角靈芝生長所需養料把握不夠。
發明內容
本發明就是針對上述問題,提供一種促進菌草鹿角靈芝生長速度,對菌草鹿角靈芝生長所需養料供應充足的一種菌草鹿角靈芝高產栽培技術。
為了實現上述目的,本發明采用如下技術方案。
菌草鹿角靈芝高產栽培技術,其特征在于,包括以下步驟。
一、栽培靈芝菌株菌草鹿角靈芝菌株,菌絲生長溫度12~36℃,最適合溫度24~30℃,子實體分化溫度20~30℃,溫度低于22℃時,子實體分化不正常。
二、3月10日開始制袋、滅菌,塑料筒的規格為15cm×60cm、厚0.005~0.006cm。靈芝的菌筒制備方法的拌料、裝料、滅菌都與香菇菌筒栽培的方法相同。3月13日開始接種,接種穴要比香菇接種穴稀,同一側面等距離接種3~4穴,如需趕季節可密些,接種后用膠紙封口。
三、菌絲體培養接種結束后,馬上進入菌絲體培養。靈芝菌絲的培養要注意以下事項:①菌絲培養場所要清潔、干燥、通風。②接種后料筒以“#”字形交錯堆疊8~10層,每層四筒。接種后7~10d內不搬動。③培養室溫度。接種后一周內溫度控制在18~20℃,一周后溫度升到24~30℃。④培養室光線管理。菌絲長透培養料以前遮光培養,菌絲長滿培養料時加強培養室光照。⑤在菌絲萌發生長至5cm直徑大小時要進行刺孔通氣。
四、出芝管理在適溫條件下培養1.5~2月,菌絲可長透料筒,此時便從菌絲體培養轉為子實體培養。管理包括開孔、排筒保濕以及溫度、光線、通氣的管理。菌筒開孔在光線適合時菌筒表面菌絲體從白色轉為淺黃色或褐色膜,此時就要及時開出芝孔。開孔方法是撕去接種口封膠,利用原有接種口出芝。排筒增濕催蕾開孔后便迅速排筒管理,否則開孔處失水不易形成原基。開孔前應挖好陰畦,畦床要插上弓形拱竹片,畦溝土壤干燥時噴水,開孔后的菌筒臥排于陰畦內,然后再覆蓋薄膜。排筒時要注意把菌筒的開孔處相互錯開,避免相鄰的二朵靈芝生長時粘聯在一起。菌床溫度控制在20~30℃。
作為一種優選方案,子實體生長管理在適宜溫、濕條件下,開孔一個星期后在開孔處出現的白色瘤狀物稱芝蕾或菇蕾。芝蕾在有充足氧氣條件下繼續生長,長至2~3cm時便開始分成菌柄和菌蓋,靈芝的菌蓋有明顯趨光性,生長時菌蓋朝光源或光線較強面展開。鹿角靈芝子實體生長期間的管理要注意以下幾點:①減少通風換氣:不需要每天通風換氣,可3~4d換氣一次,每次換氣時間不宜長。②溫度、濕度:出芝棚溫度控制在20~30℃,空氣相對濕度控制在80%~90%。③菌筒排放后不能移動,如果移動菌筒位置,易形成畸形菇。
本發明有益效果。
本發明根據鹿角靈芝菌株生物學特性和當地的氣候特點,在生產季節安排、栽培配方、出菇管理等方面,探索菌草鹿角靈芝的高產栽培技術,取得顯著成效。促進了菌草鹿角靈芝生長速度,由于對菌草鹿角靈芝生長所需養料供應充足,因而增加了菌草鹿角靈芝的產量。
具體實施方式
菌草鹿角靈芝高產栽培技術,其特征在于,包括以下步驟。
一、栽培靈芝菌株菌草鹿角靈芝菌株,菌絲生長溫度12~36℃,最適合溫度24~30℃,子實體分化溫度20~30℃,溫度低于22℃時,子實體分化不正常。
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