[發明專利]半導體器件的制造方法及實現該方法的計算系統

有效

• 申請號: 201410564455.6
• 申請日: 2014-10-21
• 公開（公告）號: CN104576540B
• 公開（公告）日: 2018-12-18
• 發明（設計）人: 金倫楷;尹鐘植;李化成;金柄成
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/02;H01L21/027
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 弋桂芬

1.一種制造半導體器件的方法，該方法包括：

形成靶層；

在所述靶層上形成第一掩模以暴露第一區；

隨后在所述靶層上形成第二掩模以暴露在第一方向上與所述第一區分開的第二區；

隨后在暴露的第一區中形成第三掩模以將所述第一區分為在交叉所述第一方向的第二方向上彼此分開的第一子區和第二子區；和

使用所述第一至第三掩模蝕刻所述靶層，使得所述第一子區和所述第二子區以及所述第二區被限定在所述靶層中。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述靶層包括氧化物層。

3.如權利要求1所述的方法，其中形成所述第一掩模包括：

在所述靶層上順序地形成第一有機層、氧化物層和硬掩模層；以及

使用所述氧化物層作為蝕刻停止層來圖案化所述硬掩模層。

4.如權利要求3所述的方法，其中所述氧化物層包括與所述靶層相同的材料。

5.如權利要求3所述的方法，其中圖案化所述硬掩模層包括：

在所述硬掩模層上順序地形成第二有機層和光致抗蝕劑圖案；和

使用所述光致抗蝕劑圖案蝕刻所述第二有機層和所述硬掩模層直到暴露所述氧化物層。

6.如權利要求3所述的方法，其中形成第三掩模包括：

在所述氧化物層上形成第二有機層和光致抗蝕劑圖案；和

使用所述光致抗蝕劑圖案作為掩模和使用所述氧化物層作為蝕刻停止層來圖案化所述第二有機層。

7.如權利要求6所述的方法，其中蝕刻所述靶層使得所述第一子區和所述第二子區被限定在所述靶層中包括：

通過使用所述第一掩模和所述第三掩模來蝕刻所述氧化物層和所述第一有機層，暴露所述靶層；和

一起蝕刻所述暴露的靶層和所述氧化物層。

8.如權利要求7所述的方法，還包括：

灰化所述第一有機層。

9.如權利要求1所述的方法，還包括：

形成導電層以接觸在所述第一和第二子區以及所述第二區中在所述靶層下面的有源圖案。

10.如權利要求9所述的方法，其中所述有源圖案包括沿著所述第一方向延伸的有源鰭，形成靶層還包括在所述有源鰭上形成柵極電極以沿著所述第二方向延伸。

11.如權利要求1所述的方法，還包括：

在所述第一和第二子區以及所述第二區中形成導電層，和

其中形成靶層包括:

形成有源圖案；

在所述有源圖案上形成硅化物接觸以接觸所述導電層；以及

在所述硅化物接觸上形成所述靶層。

12.一種制造半導體器件的方法，該方法包括：

接收一布局設計，在該布局設計中限定了使用雙圖案化光刻形成的第一和第二圖案，該第一圖案包括第一子圖案和與所述第一子圖案分開第一間隙的第二子圖案；

產生用于暴露被限定為所述第一子圖案和所述第二子圖案的區域以及在所述第一子圖案和所述第二子圖案之間的區域的第一掩模；

產生用于暴露被限定為所述第二圖案的區域的第二掩模；以及

產生用于將通過所述第一掩模暴露的區域劃分成被限定為所述第一子圖案和所述第二子圖案的區域的第三掩模。

13.如權利要求12所述的方法，其中在所述布局設計中，被限定為所述第一圖案的區域和被限定為所述第二圖案的區域在第一方向上彼此分開，被限定為所述第一子圖案的區域和被限定為所述第二子圖案的區域在交叉所述第一方向的第二方向上彼此分開。