[發明專利]一種CdTe薄膜太陽能電池板及制備方法

有效

• 申請號: 201410564016.5
• 申請日: 2014-10-18
• 公開（公告）號: CN104377261A
• 公開（公告）日: 2015-02-25
• 發明（設計）人: 秦文鋒;王玲;楊永華
• 申請（專利權）人: 中山市創科科研技術服務有限公司
• 主分類號: H01L31/048
• 分類號: H01L31/048
• 代理公司: 中山市捷凱專利商標代理事務所(特殊普通合伙) 44327
• 代理人: 楊連華

1.一種CdTe薄膜太陽能電池板，包括有玻璃基片(1)，其特征在于：在所述的玻璃基片(1)的復合面上由內到外依次相鄰地復合有四個膜層，其特征在于：其中第一膜層即最內層為ZnO層(21)，第二膜層為CdS層(22)，第三膜層為CdTe層(23)，第四膜層為背電極層(24)。

2.根據權利要求1所述的CdTe薄膜太陽能電池板，其特征在于所述的ZnO層(21)的厚度為500nm。

3.根據權利要求1所述的CdTe薄膜太陽能電池板，其特征在于所述第二膜層為CdS層(22)的厚度為50～100nm。

4.根據權利要求1所述的CdTe薄膜太陽能電池板，其特征在于所述第三膜層為CdTe層(23)的厚度為50～100nm。

5.根據權利要求1所述的CdTe薄膜太陽能電池板，其特征在于所述第四膜層為背電極層(24)包括銅層(241)和銀層(242)。

6.根據權利要求5所述的CdTe薄膜太陽能電池板，其特征在于所述銅層(241)的厚度為10nm，銀層(242)的厚度為40nm。

7.一種制備權利要求1-6任意一項所述的CdTe薄膜太陽能電池板的方法，其特征在于包括如下步驟：

(1)磁控濺射ZnO層，用AZO作為靶材，交流濺射，用氬氣作為濺射氣體，摻雜少量比例的氧氣，氬氧體積比為10:1，采用8個陰極，每個陰極濺射功率40KW，濺射生產速度2m/min；

(2)沉積CdS層，采用化學氣相沉積法，采用“離子離子”模型制備；

(3)升華CdTe層，采用近空間升華法制備，將鍍有ZnO和CdS的玻璃基片加熱到680～700攝氏度，用氬氣作為保護氣體，利用高純CdTe作為蒸發源，真空壓力3x10^-2Pa，在700攝氏度下升華，沉積出CdTe產品薄膜，沉積速率50～160nm/s；

(4)用超聲噴霧噴涂CdCl₂乙醇溶液，烘干，通入氧氣，加熱到380～420攝氏度，保持30～60分鐘，用去離子水清洗CdTe膜面的CdCl₂殘留物；

(5)沉積背電極層，用含0.1％溴的乙醇溶液刻蝕CdTe膜面，依次蒸發鍍10nmCu和40nmAg，在N₂保護下于150度熱處理90分鐘，在過渡層制備完成后，利用蒸發沉積制備Ag/Cu作為背電極。

8.根據權利要求7所述的制備CdTe薄膜太陽能電池板的方法，其特征在于所述步驟(2)中膜層禁帶寬度2.4eV，吸收率10⁴-10⁵cm^-1，用來作為n型窗口層摻雜，摻雜濃度10¹⁶個/cm³。