[發明專利]一種非對稱膜系雙銀LOW-E玻璃及制備方法

有效

• 申請號: 201410563786.8
• 申請日: 2014-10-18
• 公開（公告）號: CN104264119A
• 公開（公告）日: 2015-01-07
• 發明（設計）人: 楊永華;王玲;秦文鋒
• 申請（專利權）人: 中山市創科科研技術服務有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/06;B32B17/06;B32B15/04;B32B9/04
• 代理公司: 中山市捷凱專利商標代理事務所(特殊普通合伙) 44327
• 代理人: 楊連華

1.一種非對稱膜系雙銀LOW-E玻璃，包括有玻璃基片(1)，在所述的玻璃基片(1)的復合面上由內到外依次相鄰地復合有十一個膜層，其特征在于：其中第一膜層即最內層為Bi₂O₃層(21)，第二膜層為TiO₂層(22)，第三膜層為NiCr_x層(23)，第四膜層為ZnO層(24)，第五膜層為Ag層(25)，第六層膜為CrNiO_y層(26)，第七膜層為TiO₂層(27)，第八膜層為AZO層(28)，第九膜層為Ag層(29)，第十膜層為CrNiO_y層(210)，第十一膜層即最外層為Si₃N₄O_y層(211)。

2.根據權利要求1所述的非對稱膜系雙銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第一膜層的Bi₂O₃層(21)的厚度為20～35nm。

3.根據權利要求1所述的非對稱膜系雙銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第二膜層的TiO₂層(22)、第七膜層TiO₂層(27)的厚度均為25～35nm。

4.根據權利要求1所述的非對稱膜系雙銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第三膜層NiCr_x層(23)的厚度為1～3nm。

5.根據權利要求1所述的非對稱膜系雙銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第四膜層ZnO層(24)的厚度為8～12nm。

6.根據權利要求1所述的非對稱膜系雙銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第五膜層Ag層(25)的厚度為5～8nm，所述第九膜層Ag層(29)的厚度為12～15nm。

7.根據權利要求1所述的非對稱膜系雙銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第六膜層CrN_xO_y層(26)的厚度為2～4nm、第十膜層CrNiO_y層(210)的厚度為1～3nm。

8.根據權利要求1所述的非對稱膜系雙銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第八膜層AZO層(28)的厚度為60～80nm。

9.根據權利要求1所述的非對稱膜系雙銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第十一膜層Si₃N₄O_y層(211)的厚度為25～35nm。

10.一種制備權利要求1-9任意一項所述的非對稱膜系雙銀LOW-E玻璃的方法，其特征在于包括如下步驟：

(1)磁控濺射Bi₂O₃層，用交流中頻電源、氧氣作反應氣體濺射Bi靶，氬氧比為400SCCM～420SCCM：

450SCCM～500SCCM；

(2)磁控濺射TiO₂層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；

(3)磁控濺射NiCr_x層，用直流電源、用氮氣做反應氣體的金屬濺射；

(4)磁控濺射ZnO層，用中頻交流電源濺射陶瓷Zn靶，為Ag層作鋪墊；

(5)磁控濺射Ag層，用交流電源濺射；

(6)磁控濺射CrN_xO_y層，用直流電源濺射，用氮氣做反應氣體，滲少量氧氣；

(7)磁控濺射TiO₂層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；AZO

(8)磁控濺射AZO層，用中頻交流電源濺射陶瓷AZO靶；

(9)磁控濺射Ag層，用交流電源濺射；

(10)磁控濺射CrN_xO_y層，用直流電源濺射，用氮氣做反應氣體，滲少量氧氣；

(11)磁控濺射Si₃N₄O_y層，用交流中頻電源、氮氣作反應氣體濺射半導體材料SiAl重量比Si:Al＝90:10，滲入少量氧氣。