[發(fā)明專利]襯底處理設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410563526.0 | 申請日: | 2014-10-21 |
| 公開(公告)號: | CN104576450B | 公開(公告)日: | 2019-11-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金戊一;金泰俊;金圣進;金鐘元 | 申請(專利權(quán))人: | AP系統(tǒng)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 韓國京畿道華城市*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 襯底處理 側(cè)壁 襯底處理設(shè)備 襯底平臺 排氣單元 第一軸 底壁 腔殼 上壁 側(cè)壁界定 方向交叉 氣流引導(dǎo) 第二軸 上移動 配置 去除 安置 外部 移動 | ||
1.一種襯底處理設(shè)備,其特征在于包括:
腔殼,具有襯底處理空間,所述腔殼由底壁、上壁,以及將所述底壁連接到所述上壁的側(cè)壁界定;
襯底平臺,經(jīng)配置以在所述襯底處理空間內(nèi)在第一軸向方向以及與所述第一軸向方向交叉的第二軸向方向上移動;
電纜導(dǎo)管,配置在所述襯底平臺之下以保護供應(yīng)電流到襯底平臺的電纜;
側(cè)壁排氣單元,分別沿著所述腔殼的所述側(cè)壁安置,所述側(cè)壁排氣單元經(jīng)配置以將由所述襯底平臺的移動在所述襯底平臺與所述側(cè)壁之間產(chǎn)生的氣流引導(dǎo)到外部;
下部阻斷本體,耦合到所述電纜導(dǎo)管,所述下部阻斷本體經(jīng)配置以阻斷被引入到襯底的下側(cè)的氣流,以反射所述氣流朝向所述側(cè)壁排氣單元,
其中所述側(cè)壁排氣單元中的每一個包括:
側(cè)壁排氣本體,分別沿著所述腔殼的所述側(cè)壁安置,所述側(cè)壁排氣本體中的每一個經(jīng)配置以吸入平行于所述腔殼的所述底壁流動的氣體以將吸入的所述氣體排出到所述外部;
側(cè)壁排氣板,經(jīng)配置以將所述襯底處理空間內(nèi)的所述氣流的方向改變成平行于所述腔殼的所述底壁的方向,所述側(cè)壁排氣板包括:
側(cè)壁排氣單元上部板,連接到所述側(cè)壁排氣本體的上部末端表面且
朝向所述腔殼的所述襯底處理空間突出;
側(cè)壁排氣擴展上部板,所述側(cè)壁排氣擴展上部板能夠通過從所述側(cè)壁排氣單元上部板朝向所述腔殼的所述襯底處理空間向前或向后滑動擴展的,以能夠根據(jù)所述襯底平臺的大小來調(diào)整突出長度;以及
噴嘴,安置在所述腔殼的所述上壁上以將氣體噴射到所述襯底處理空間的下側(cè)中,所述噴嘴在所述第二軸向方向上縱向地安置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理設(shè)備,其中所述側(cè)壁排氣單元包括:
側(cè)壁排氣外殼,沿著所述腔殼的所述側(cè)壁中的每一個安置;
側(cè)壁排氣通道管,具有界定在所述側(cè)壁排氣外殼中的排氣通道以及界定在面向所述襯底平臺的表面中的排氣孔;以及
側(cè)壁排氣端口,連接到所述側(cè)壁排氣通道管的內(nèi)部以將所述排氣通道內(nèi)的所述氣體排出到所述外部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的襯底處理設(shè)備,其中所述側(cè)壁排氣板進一步包括:
側(cè)壁排氣下部板,從所述側(cè)壁排氣通道管的下部末端表面朝向所述腔殼的所述底壁突出。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底處理設(shè)備,其中所述側(cè)壁排氣上部板安置在與所述襯底平臺的下部表面的位置相同或低于所述襯底平臺的下部表面的位置處。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底處理設(shè)備,其中所述側(cè)壁排氣下部板朝向所述腔殼的所述底壁傾斜地突出,以使得其末端接觸所述腔殼的所述底壁。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理設(shè)備,進一步包括:
第一軸向傳送支架,包括在所述第一軸向方向上彼此間隔開而安置的一對導(dǎo)軌;以及
第二軸向傳送支架,具有在所述第二軸向方向上對應(yīng)于所述第一軸向傳送支架的所述一對導(dǎo)軌之間的長度的長度,所述第二軸向傳送支架在所述第一軸向方向上沿著所述第一軸向傳送支架滑動,
其中所述襯底平臺安置在所述第二軸向傳送支架上并且沿著所述第二軸向方向沿著所述第二軸向傳送支架向前或向后滑動。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





