[發明專利]降低電子泄漏的砷化鎵激光器的制作方法有效
| 申請號： | 201410563125.5 | 申請日： | 2014-10-21 |
| 公開（公告）號： | CN104300366B | 公開（公告）日： | 2018-01-12 |
| 發明（設計）人： | 李翔;趙德剛;江德生;劉宗順;陳平;朱建軍 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01S5/343 | 分類號： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司11021 | 代理人： | 任巖 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 降低 電子 泄漏 砷化鎵 激光器 制作方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種降低電子泄漏的砷化鎵激光器的制作方法，包括以下步驟：
步驟1：在砷化鎵襯底依次外延生長N型限制層、N型波導層、量子阱有源區、P型波導層、窄帶隙插入層、寬帶隙插入層、P型限制層和P型接觸層；
其中窄帶隙插入層的材料為鋁鎵砷材料，厚度0.1-0.8μm，鋁組分為0.1-0.4，其帶隙寬度低于P型波導層的帶隙寬度；
其中寬帶隙插入層的材料為鋁鎵砷材料，厚度0.05-0.3μm，鋁組分為0.7-1，其帶隙寬度要高于窄帶隙插入層的帶隙寬度；
步驟2：采用濕法腐蝕或干法刻蝕的方法，將P型接觸層和P型限制層刻蝕成脊型，其中脊型刻蝕的深度到達p型限制層內；
步驟3：在P型接觸層的上表面制作P型歐姆電極；
步驟4：將砷化鎵襯底減薄、清洗；拋光后的厚度控制在80-100μm之間；
步驟5：在砷化鎵襯底的背面制作N型歐姆電極，形成激光器；
步驟6：進行解理，在激光器的腔面鍍膜，最后封裝在管殼上，完成制作。
2.根據權利要求1所述的降低電子泄漏的砷化鎵激光器的制作方法，其中量子阱有源區的量子阱個數為1-5個，量子阱的材料為砷化鎵材料、鎵砷磷材料或銦鎵砷材料，每一量子阱的厚度為1-10nm，量子壘材料分別對應為鋁鎵砷、銦鎵磷或鎵砷磷材料。
3.根據權利要求1所述的降低電子泄漏的砷化鎵激光器的制作方法，其中P型波導層的厚度為0.2-2μm。
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