[發(fā)明專利]墊片晶體缺陷去除方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410562703.3
• 申請(qǐng)日: 2014-10-21
• 公開（公告）號(hào): CN105590832A
• 公開（公告）日: 2016-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳林
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種墊片晶體缺陷去除方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體器件包括各種有源器件，例如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DynamicRandom AccessMemory，簡(jiǎn)稱DRAM)或一次可編程(OneTimeProgramable，簡(jiǎn)稱OTP) 器件等，均為多層結(jié)構(gòu)，為了將在各個(gè)器件結(jié)構(gòu)連接在一起構(gòu)成一個(gè)完整的器 件，并使一個(gè)器件與其它器件或其它電子元件連接而構(gòu)成電子電路模塊，在半 導(dǎo)體后段的制備工藝中，需要制備多層互連結(jié)構(gòu)，該互連結(jié)構(gòu)通過層間電介質(zhì) (Inter-MetalDielectric，檢測(cè)IMD)隔離。并在該互連結(jié)構(gòu)的最頂層形成墊片 (Pad)，以用于向各個(gè)器件通電。

在現(xiàn)有技術(shù)中，在半導(dǎo)體器件的制備過程中往往會(huì)用到氟元素，例如，當(dāng) 層間電介質(zhì)的材料為氟硅玻璃時(shí)引入氟元素；或者，在進(jìn)行光刻工藝時(shí)，光刻 膠的腐蝕劑可能為含氟腐蝕劑，從而引入氟元素。當(dāng)晶圓中含有氟元素時(shí)，特 別是在潮濕的環(huán)境或不合適的溫度的情況下，氟元素發(fā)生反應(yīng)形成含氟的晶體 缺陷(F-crystaldefect)，如圖1所示，該含氟的晶體缺陷11形成于所述墊片10 的表面，使得所述墊片的表面凹凸不平，不僅影響晶圓的美觀，嚴(yán)重時(shí)甚至產(chǎn) 生影響器件封裝、可靠性等風(fēng)險(xiǎn)。

為了避免產(chǎn)生該含氟的晶體缺陷，在現(xiàn)有技術(shù)中控制層間電介質(zhì)中的氟元 素的含量，并將切割道中的墊片全部用保護(hù)層覆蓋起來，當(dāng)墊片上出現(xiàn)該含氟 的晶體缺陷時(shí)，采用濕法刻蝕清洗墊片以去除該含氟的晶體缺陷，進(jìn)行返工 (rework)。

然而，當(dāng)晶圓經(jīng)過長(zhǎng)時(shí)間的存儲(chǔ)，并且晶圓所處的環(huán)境不佳時(shí)，墊片上會(huì) 出現(xiàn)嚴(yán)重的含氟的晶體缺陷，經(jīng)過長(zhǎng)時(shí)間的濕法刻蝕清洗墊片后，仍然不能有 效地去除該含氟的晶體缺陷，并且，經(jīng)過長(zhǎng)時(shí)間的濕法刻蝕清洗墊片后，在墊 片表面會(huì)形成很大的腐蝕坑，影響器件的性能。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于，提供一種墊片晶體缺陷去除方法，能夠有效地去除墊 片表面的晶體缺陷。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種墊片晶體缺陷去除方法，包括：

提供一半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有一墊片以及覆蓋所述墊片的 保護(hù)層，所述保護(hù)層中形成有一暴露出部分所述墊片的開口，所述開口中的墊 片上形成有晶體缺陷；

形成一阻擋層，所述阻擋層覆蓋所述保護(hù)層和開口；

采用干法刻蝕至少去除所述開口中的所述阻擋層；以及

采用濕法刻蝕去除所述晶體缺陷。

可選的，在所述采用干法刻蝕去除所述開口中的所述阻擋層的步驟中，保 留所述保護(hù)層上的所述阻擋層。

可選的，所述阻擋層的材料為氮化硅。

可選的，所述半導(dǎo)體襯底中包括一次可編程器件，所述阻擋層的材料為紫 外光氮化硅。

可選的，在所述采用干法刻蝕去除所述開口中的所述阻擋層的步驟中，同 時(shí)去除所述保護(hù)層上的所述阻擋層。

可選的，所述阻擋層的材料為氮化硅、氧化硅或碳化硅中的一種或幾種的 組合。

可選的，所述阻擋層的厚度為10nm～10000nm。

可選的，所述濕法刻蝕的刻蝕液為堿溶液。

可選的，所述濕法刻蝕的刻蝕時(shí)間為20min～120min。

可選的，采用開口光刻工藝以及開口刻蝕工藝，在所述保護(hù)層中形成所述 開口。

可選的，在所述形成一阻擋層的步驟和所述采用干法刻蝕去除所述開口中 的所述阻擋層的步驟之間，還包括：

采用圖形光刻工藝形成一圖形光刻膠，所述圖形光刻膠覆蓋所述阻擋層， 并暴露出所述開口。

可選的，所述圖形光刻工藝與所述開口光刻工藝相同。

可選的，在所述形成一阻擋層的步驟和所述采用干法刻蝕去除所述開口中 的所述阻擋層的步驟之間，還包括：

采用去離子水清洗所述阻擋層。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的墊片晶體缺陷去除方法具有以下優(yōu)點(diǎn)：