[發明專利]固態攝像裝置、固態攝像裝置的制造方法以及電子設備

有效

• 申請號: 201410562022.7
• 申請日: 2014-10-21
• 公開（公告）號: CN104617118B
• 公開（公告）日: 2020-01-14
• 發明（設計）人: 馬渕圭司;阿部秀司;神戶秀夫;內田史朗
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 11290 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 曹正建;陳桂香

本發明提供了一種固態攝像裝置、固態攝像裝置的制造方法以及電子設備。所述固態攝像裝置包括：Si基板，在所述Si基板中形成有用于對從后表面側入射的可見光進行光電轉換的光電轉換單元；以及下基板，所述下基板設置在所述Si基板下方，并且用于對從所述后表面側入射的紅外光進行光電轉換。根據本發明，能夠分離地獲得可見光和紅外光。

技術領域

本發明涉及固態攝像裝置、固態攝像裝置的制造方法以及電子設備，更具體地涉及能夠分離地獲取紅外光和可見光的固態攝像裝置、固態攝像裝置的制造方法以及電子設備。

背景技術

在日本未審查專利申請公開第2004-103964號中，提出了如下方案：將用于接收紅外光的基板貼附于固態攝像元件的后表面，并且將開關切換到紅外線模式以通過偏置(bias)獲取紅外射線。

同時，在背面照射型CMOS圖像傳感器中(在下文中，將CMOS圖像傳感器稱為CIS)，將具有配線層的基板翻轉以粘附基板支撐件。在背面照射型CIS中，通過化學機械拋光(CMP)對晶片進行拋光，以形成具有約10μm至20μm厚度的硅(Si)層(參加日本專利第3759435號)。目前，Si層具有約數μm的厚度，并且普通Si晶片用于基板支撐件。

然而，在前一固態攝像元件中，由于在兩個基板之間不存在電路，因此難以分離地獲取可見光和紅外光。另外，在后一背面照射型CIS中，由于Si層較薄，因此可獲取可見光。但是，難以獲取紅外光。

發明內容

鑒于上述問題，期望可分離地獲取可見光和紅外光。

根據本發明的實施例，提供了一種固態攝像裝置，其包括：Si基板，在所述Si基板中形成有用于對從后表面側入射的可見光進行光電轉換的光電轉換單元；以及下基板，所述下基板設置在所述Si基板下方，并且用于對從所述后表面側入射的紅外光進行光電轉換。

所述下基板由化合物半導體形成。

紅外線電極與所述下基板的存在所述Si基板的一側接觸，并且下電極與所述下基板的外部側接觸。

用于讀取所述可見光的可見光讀取電路和用于讀取所述紅外光的紅外光讀取電路形成在所述Si基板中。

所述紅外線電極形成為環形。

所述可見光讀取電路和所述紅外光讀取電路形成在基本上與所述紅外線電極重疊的位置處。

所述紅外線電極形成為透明的。

所述下基板由硅形成，并且包括晶體管和配線。

所述下基板是N型基板。

所述Si基板和所述下基板形成層疊結構。

用于讀取所述可見光的可見光讀取電路形成在所述Si基板中，并且用于讀取所述紅外光的紅外光讀取電路形成在所述下基板中。

所述紅外光讀取電路設置在基本上與所述可見光讀取電路重疊的位置處。

根據本發明的另一實施例，提供了一種制造固態攝像裝置的方法，該方法包括：通過制造裝置在Si基板中形成用于對從后表面側入射的可見光進行光電轉換的光電轉換單元；并且通過所述制造裝置將用于對從所述后表面側入射的紅外光進行光電轉換的下基板貼附在所述Si基板下方。

根據本發明的又一實施例，提供了一種電子設備，其包括：固態攝像裝置，所述固態攝像裝置包括Si基板和下基板，在所述Si基板中形成有用于對從后表面側入射的可見光進行光電轉換的光電轉換單元，所述下基板設置在所述Si基板下方并且用于對從所述后表面側入射的紅外光進行光電轉換；信號處理電路，其用于對從所述固態攝像裝置輸出的輸出信號進行處理；以及光學系統，其用于使所述可見光和所述紅外光入射到所述固態攝像裝置上。

所述下基板由化合物半導體形成。