[發明專利]嵌入式鍺硅外延位錯缺陷的改善方法

在審

• 申請號: 201410561809.1
• 申請日: 2014-10-21
• 公開（公告）號: CN105529266A
• 公開（公告）日: 2016-04-27
• 發明（設計）人: 周海鋒;譚俊
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 徐潔晶

1.一種嵌入式鍺硅外延位錯缺陷的改善方法，包括在所述鍺硅外延的反應過 程之前，在濕法清洗過后，增加使用干法刻蝕的方法對硅襯底(200)所在的晶圓 片的表面進行低量的刻蝕以及再生長出與所述硅襯底(200)相同晶格結構的一硅 成核層(202)，以移除并替代前道工藝中由于等離子體造成的晶格損傷的所述硅 襯底(200)部分，改善所述硅襯底(200)上待外延的溝槽內壁表面的粗糙度和清 潔度。

2.根據權利要求1所述的改善方法，其特征在于，所述改善方法是將所述晶 圓片放在低壓、高溫的環境條件下，對其表面進行小于5納米厚度的干法刻蝕。

3.根據權利要求2所述的改善方法，其特征在于，所述低壓是指50托以下， 所述高溫是指600至800攝氏度。

4.根據權利要求3所述的改善方法，其特征在于，對所述晶圓片的表面進行 干法刻蝕的刻蝕氣體為氯化氫氣體。

5.根據權利要求4所述的改善方法，其特征在于，所述硅襯底(200)上待外 延的所述溝槽的深度為400至800埃。

6.根據權利要求5所述的改善方法，其特征在于，所述改善方法適用于45納 米、40納米、32納米、28納米、22納米或其以下技術節點。