[發明專利]電容式加速度計

有效

• 申請號: 201410561451.2
• 申請日: 2012-03-20
• 公開（公告）號: CN104316726B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 沈靖凱
• 申請（專利權）人: 立積電子股份有限公司
• 主分類號: G01P15/125
• 分類號: G01P15/125
• 代理公司: 上海市錦天城律師事務所31273
• 代理人: 劉民選,龐璐

1.一種電容式加速度計，其特征在于，所述電容式加速度計包括：

一基板；及

一第一半導體結構層，設置在所述基板上，所述第一半導體結構層包括：

一第一質量塊；

至少一第一支撐基座，位于所述第一質量塊對應一第一軸向的至少一側；

一第一彈性件，具有一第一彎折結構及一第一階梯結構，所述第一彎折結構以對應所述第一軸向來回彎折的方式連接于所述第一支撐基座，所述第一階梯結構連接在所述第一質量塊及所述第一彎折結構之間；

至少一第一梳狀電容組，連接在所述第一質量塊對應所述第一軸向的至少一側上；

至少一第二支撐基座，位于所述第一質量塊對應一第二軸向的至少一側；

一第二彈性件，具有一第二彎折結構及一第二階梯結構，所述第二彎折結構以對應所述第二軸向來回彎折的方式連接于所述第二支撐基座，所述第二階梯結構連接在所述第一質量塊及所述第二彎折結構之間；及

至少一第二梳狀電容組，連接在所述第一質量塊對應所述第二軸向的至少一側上；

其中所述第一軸向垂直于所述第二軸向。

2.如權利要求1所述的電容式加速度計，其特征在于，所述第一質量塊在對應所述第一階梯結構及所述第二階梯結構的位置上分別設置有一突出塊。

3.如權利要求1所述的電容式加速度計，其特征在于，所述基板具有至少一感測電極，所述電容式加速度計還包括：

一第二半導體結構層，設置在所述基板上且位于所述第一半導體結構層的一側，所述第二半導體結構層包括：

一第二質量塊，沿所述第一軸向或所述第二軸向具有一轉動軸，用來與所述感測電極產生一感測電容；及

至少一第三支撐基座，連接于所述轉動軸，用以使所述第二質量塊不對稱地浮置在所述感測電極的上方；

其中當所述第二質量塊在一第三軸向受力時，所述第二質量塊以所述轉動軸為中心旋轉，所述第三軸向垂直于所述第一軸向及所述第二軸向。

4.如權利要求1所述的電容式加速度計，其特征在于，所述第一半導體結構層包括二第一梳狀電容組，每一第一梳狀電容組包括：

多個梳狀電容板，自所述第一質量塊上延伸形成；及

多個固定梳狀電容板，固定在所述基板上且與所述多個梳狀電容板相互平行并交替排列；

其中所述二第一梳狀電容組上的梳狀電容板與固定梳狀電容板的組數彼此相異。

5.如權利要求1所述的電容式加速度計，其特征在于，所述第一彎折結構以垂直于所述第一軸向來回彎折的方式連接在所述第一支撐基座及所述第一階梯結構之間，所述第二彎折結構以垂直于所述第二軸向來回彎折的方式連接在所述第二支撐基座及所述第二階梯結構之間。

6.如權利要求1所述的電容式加速度計，其特征在于，所述第一彎折結構以平行于所述第一軸向來回彎折的方式連接在所述第一支撐基座及所述第一階梯結構之間，所述第二彎折結構以平行于所述第二軸向來回彎折的方式連接在所述第二支撐基座及所述第二階梯結構之間。

7.如權利要求1所述的電容式加速度計，其特征在于，所述第一半導體結構層包括二第一支撐基座及二第一彈性件，每一第一彎折結構分別以對應所述第一軸向來回彎折的方式連接在所述第一質量塊及相對應的第一支撐基座之間，每一第一彎折結構的彎折次數彼此相異。

8.一種電容式加速度計，其特征在于，所述電容式加速度計包括：

一基板；及

一第一半導體結構層，設置在所述基板上，所述第一半導體結構層包括：

一第一質量塊；

至少二第一梳狀電容組，連接在所述第一質量塊對應一第一軸向的至少一側上；

至少一第一支撐基座，設置在所述至少二第一梳狀電容組之間；

一第一彈性件，以對應所述第一軸向來回彎折的方式連接在所述第一質量塊及所述第一支撐基座之間；

至少二第二梳狀電容組，連接在所述第一質量塊對應一第二軸向的至少一側上；

至少一第二支撐基座，設置在所述至少二第二梳狀電容組之間；及

一第二彈性件，以對應所述第二軸向來回彎折的方式連接在所述第一質量塊及所述第二支撐基座之間；

其中所述第一軸向垂直于所述第二軸向。