[發明專利]用于單晶硅制備的鉬導流筒在審
| 申請號： | 201410560296.2 | 申請日： | 2014-10-19 |
| 公開（公告）號： | CN104357896A | 公開（公告）日： | 2015-02-18 |
| 發明（設計）人： | 王東芹 | 申請（專利權）人： | 鎮江大成新能源有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/00 | 分類號： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 212000 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 單晶硅 制備 導流 | ||
【權利要求書】：
1.用于單晶硅制備的鉬導流筒，包括外導流筒(1)、內導流筒(2)和螺栓(3)，其特征在于，所述外導流筒(1)為石墨材料制成，外導流筒(1)為法蘭盤結構，外導流筒(1)底面中心位置加工有錐孔(101)，所述錐孔(101)頂面加工有一圓形凸臺(102)，所述內導流筒(2)套在外導流筒(1)內孔里，內導流筒(2)底面中心位置有一圓形凹槽(201)，所述內導流筒(2)凹槽(201)卡在外導流筒(1)凸臺(102)上，所述內導流筒(2)為法蘭盤結構，內導流筒(2)法蘭底面通過螺栓固定在外導流筒(1)法蘭頂面上，所述內導流筒(2)為鉬材料制成。
2.如權利要求1所述的用于單晶硅制備的鉬導流筒，其特征在于：所述螺栓(3)為材料鉬材料。
3.如權利要求1所述的用于單晶硅制備的鉬導流筒，其特征在于：所述外導流筒(1)和內導流筒(2)配合接觸處安裝有密封墊。
4.如權利要求1所述的用于單晶硅制備的鉬導流筒，其特征在于：所述外導流筒(1)和內導流筒(2)厚度都為5～10mm。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于鎮江大成新能源有限公司，未經鎮江大成新能源有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410560296.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
