[發明專利]彩色顯示器件在審
| 申請號: | 201410559899.0 | 申請日: | 2014-10-20 |
| 公開(公告)號: | CN104393013A | 公開(公告)日: | 2015-03-04 |
| 發明(設計)人: | 劉亞偉;王宜凡 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 彩色顯示器 | ||
1.一種彩色顯示器件,包括:基板(1)、形成于基板(1)上的陽極(21)、形成于陽極(21)上的薄膜晶體管陣列(23)、形成于薄膜晶體管陣列(23)上的空穴注入層(24)、形成于空穴注入層(24)上的空穴傳輸層(25)、形成于空穴傳輸層(25)上的白光發光層(26)、形成于白光發光層(26)上的電子傳輸層(27)、形成于電子傳輸層(27)上的陰極(28)、設于陰極(28)上方并與基板(1)貼合的蓋板(3)、形成于蓋板(3)內側的色彩轉換層(4)、及粘結基板(1)與蓋板(3)的密封框膠(6),其特征在于,所述白光發光層(26)發白光,所述色彩轉換層(4)包括間隔設置的藍色子像素區域(41)、綠色子像素區域(43)與紅色子像素區域(45),所述藍色子像素區域(41)形成有藍光過濾層,所述綠色子像素區域(43)形成有綠光過濾層或綠光轉換層,所述紅色子像素區域(45)形成有紅光過濾層或紅光轉換層。
2.如權利要求1所述的彩色顯示器件,其特征在于,所述薄膜晶體管陣列(23)中的薄膜晶體管(5)控制所述白光發光層(26)發出白光。
3.如權利要求1所述的彩色顯示器件,其特征在于,所述白光發光層(26)通過熱蒸鍍的方式形成,所述白光發光層(26)為單層結構或復合層結構。
4.如權利要求3所述的彩色顯示器件,其特征在于,當所述白光發光層(26)為單層結構時,其單層結構的材料為有機藍光主體材料與藍光發光材料、綠光發光材料和紅光發光材料摻雜形成的混合材料,或者藍光發光材料與黃光發光材料摻雜形成的混合材料。
5.如權利要求4所述的彩色顯示器件,其特征在于,所述有機藍光主體材料為4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、或2,4,6,-三(9H-咔唑-9-基)-1,3,5-三嗪,所述藍光發光材料為聚芴類、4,4’-雙(2,2-二苯乙烯基)聯苯或FIr6,所述綠光發光材料為三(2-苯基吡啶)合銥,所述紅光發光材料為三(1-苯基-異喹啉)合銥(III),所述黃光發光材料為5,6,11,12-四苯基并四苯。
6.如權利要求1所述的彩色顯示器件,其特征在于,所述藍光過濾層由藍光量子點材料形成,所述綠光過濾層或綠光轉換層由綠光量子點材料形成,所述紅光過濾層或紅光轉換層由紅光量子點材料形成。
7.如權利要求6所述的彩色顯示器件,其特征在于,所述紅光量子點材料為CdSe/CdS/ZnS,所述綠光量子點材料為CdSe/ZnS或ZnSe:Cu2+,所述藍光量子點材料為ZnCdS、CdSe/ZnS或納米SiN4。
8.如權利要求6所述的彩色顯示器件,其特征在于,所述藍光過濾層通過藍光量子點材料與表面包覆劑及溶劑混合、涂覆并揮發去除溶劑后得到;所述綠光過濾層通過綠光量子點材料與表面包覆劑及溶劑混合、涂覆并揮發去除溶劑后得到;所述紅光過濾層分別通過紅光量子點材料與表面包覆劑及溶劑混合、涂覆并揮發去除溶劑后得到。
9.如權利要求1所述的彩色顯示器件,其特征在于,所述基板(1)與蓋板(3)由玻璃或柔性材料形成,所述基板(1)與蓋板(3)中至少一個透光。
10.如權利要求1所述的彩色顯示器件,其特征在于,所述電子傳輸層(27)的材料為八羥基喹啉鋁,所述空穴傳輸(25)的材料為聚三苯胺,所述空穴注入層(24)的材料為聚乙撐二氧噻吩。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市華星光電技術有限公司,未經深圳市華星光電技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410559899.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置
- 下一篇:一種TFT基板及其制造方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





