[發明專利]玻璃面板和用于制造所述面板的掩膜有效
| 申請號: | 201410559637.4 | 申請日: | 2014-10-20 |
| 公開(公告)號: | CN104298037A | 公開(公告)日: | 2015-01-21 |
| 發明(設計)人: | 黃世帥;張天豪 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372 | 代理人: | 吳大建;劉華聯 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 玻璃 面板 用于 制造 | ||
1.一種玻璃面板,其特征在于,包括:
用于形成掃描線和電荷分享線的第一金屬層,其中一條掃描線和一條相應的電荷分享線共同對應于一行像素單元;
用于形成連接配線的配線金屬層,所述連接配線能夠將所述掃描線和所述電荷分享線連接起來,
其中,所述連接配線具有過孔部,所述連接配線在過孔部中通過過孔連接到所述掃描線和/或所述電荷分享線。
2.根據權利要求1所述的玻璃面板,其特征在于,每條所述連接配線包括沿直線延伸的干線部分,和垂直于所述干線部分而延伸出來的狹長的第一過孔部、第二過孔部和第三過孔部,其中所述第二過孔部位于所述第一過孔部和所述第三過孔部之間。
3.根據權利要求2所述的玻璃面板,其特征在于,形成n+2型低色偏結構,所述n+2型低色偏結構即從所述玻璃面板的一端開始計算,第n條電荷分享線由第n+2條掃描線啟動,其中n為正整數。
4.根據權利要求3所述的玻璃面板,其特征在于,在第n條連接配線中,所述第一過孔部通過過孔連接到第n條電荷分享線,所述第三過孔部通過過孔連接到第n+2條掃描線,所述第二過孔部懸空。
5.根據權利要求2所述的玻璃面板,其特征在于,形成n+1型低色偏結構,所述n+1型低色偏結構即從所述玻璃面板的一端開始計算,第n條電荷分享線由第n+1條掃描線啟動,其中n為正整數。
6.根據權利要求5所述的玻璃面板,其特征在于,在第n條連接配線中,所述第一過孔部懸空,所述第二過孔部通過過孔連接到第n條電荷分享線,所述第三過孔部通過過孔連接到第n+1條掃描線。
7.根據權利要求1到6中任一項所述的玻璃面板,其特征在于,所述配線金屬層與用于形成薄膜晶體管的源漏極的第二金屬層位于同一層中。
8.根據權利要求1到6中任一項所述的玻璃面板,其特征在于,所述像素單元包括分別配備有不同的像素電極的主區和副區,所述副區額外設置有分享薄膜晶體管和分享電容,且所述副區的像素電極連接到所述分享薄膜晶體管的源極,所述分享薄膜晶體管的漏極連接至所述分享電容,所述分享薄膜晶體管的柵極連接至所述電荷分享線。
9.根據權利要求8所述的玻璃面板,其特征在于,所述掃描線通過多個充電薄膜晶體管同時控制所述像素單元的主區和副區中的像素電極。
10.用于制造根據權利要求1到9中任一項所述的玻璃面板的方法,所述玻璃面板通過五道掩膜方法制造,其特征在于,在玻璃基板上用第一道掩膜來制造第一金屬層,而后覆蓋絕緣層,在絕緣層之上用第二道掩膜來制造有源層,在有源層之上用第三道掩膜來制造第二金屬層,通過第四道掩膜來制造位于其之上的過孔層,在過孔層之上通過第五道掩膜來制造電極層,僅通過改變第一道掩膜的圖案來改變掃描線和電荷分享線之間的位置關系,由此實現n+1型低色偏結構和n+2型低色偏結構之間的轉換。
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