[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、電子裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410559225.0
• 申請日: 2014-10-20
• 公開（公告）號: CN105590868B
• 公開（公告）日: 2018-09-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張先明;李志超
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/52
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 高偉;馮永貞

1.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，包括：

步驟S1：提供器件晶圓，在所述器件晶圓的背面形成有硅通孔，其中所述硅通孔包括金屬材料形成的導(dǎo)電層；

步驟S2：對所述器件晶圓進行背部研磨至所述硅通孔的頂部，以減小所述器件晶圓的厚度；

步驟S3：蝕刻所述器件晶圓的背面，以露出部分所述硅通孔；

步驟S4：回蝕刻露出的所述硅通孔，以去除所述器件晶圓背面和/或所述硅通孔表面殘留的所述金屬材料，

在所述步驟S4中，回蝕刻所述硅通孔，以去除所述器件晶圓背面和/或所述硅通孔側(cè)壁上的由金屬擴散和凸起殘留的所述金屬材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S4中，所述回蝕刻選用濕法蝕刻。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S4中，所述回蝕刻的時間小于200s。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S3中露出的所述硅通孔的厚度小于10um。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S1中，所述金屬材料選用金屬銅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S1中，在所述器件晶圓的正面還形成有載片晶圓。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S4之后，所述方法還包括：

步驟S5：沉積介電層，以覆蓋所述器件晶圓的背面和露出的所述硅通孔；

步驟S6：平坦化所述介電層至所述硅通孔。

8.一種基于權(quán)利要求1至7之一所述方法制備得到的半導(dǎo)體器件。

9.一種電子裝置，包括權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件。