[發(fā)明專利]一種錫酸鎘靶材及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410559166.7 | 申請日： | 2014-10-20 |
| 公開（公告）號： | CN105585317B | 公開（公告）日： | 2018-06-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉宇陽;白雪;王星明;儲茂友;韓滄;張碧田;段華英 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京有色金屬研究總院 |
| 主分類號： | C04B35/457 | 分類號： | C04B35/457;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京北新智誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11100 | 代理人： | 劉徐紅 |
| 地址： | 100088 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 錫酸鎘 靶材 陶瓷靶材 燒結(jié) 制備 致密 單相粉體 低溫真空 熱壓工藝 熱壓燒結(jié) 氬氣保護 電阻率 兩段式 原料粉 添加劑 | ||
1.一種錫酸鎘靶材的制備方法，其特征在于：該靶材的組成為Cd2SnO4和CdSnO3，其中Cd2SnO4的含量大于95w％，其制備方法包括如下步驟：
(1)稱量純度≥99w％的SnO2粉和純度≥99w％的CdO粉，SnO2粉與CdO粉的摩爾比為：SnO2:CdO＝1:1.5～1:2.5，混合；
(2)將混合原料放置于球磨罐中，球磨均勻后，煅燒，得到Cd2SnO4單相粉體；
(3)將得到的錫酸鎘原料粉體，裝入石墨模具中，將石墨模具放置于熱壓爐內(nèi)，抽真空后開始升溫，溫度達到500～800℃時，保溫30min～50min，保持體系真空度在100Pa，不加壓；
(4)隨后進行再次升溫，在升溫過程中，充氬氣，并不斷加壓，當溫度升至900～1100℃，壓力達到10～30MPa時，開始保溫保壓，保溫保壓1～2小時后，關(guān)閉加熱電源，開始降溫；等溫度降至700～900℃，逐漸緩慢泄壓，至常壓；
(5)等熱壓爐完全冷卻后，得到錫酸鎘靶材坯料；
(6)將所述靶材坯料進行機械加工、清洗、烘干，得到錫酸鎘靶材。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的錫酸鎘靶材的制備方法，其特征在于：所述的球磨時間為1～3小時，所述的煅燒的溫度為900～1100℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的錫酸鎘靶材的制備方法，其特征在于：抽真空到1×10-1Pa以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的錫酸鎘靶材的制備方法，其特征在于：所述的機械加工為磨削；所述的清洗為將靶材放入純凈水中進行超聲清洗1～2小時；洗凈后將靶材放入鼓風干燥箱中烘干，最后得到鍍膜用的靶材。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的錫酸鎘靶材的制備方法，其特征在于：所述的錫酸鎘靶材Cd2SnO4含量大于95w％，相對密度為80％-95％，電阻率為1～6×10-4Ω·cm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的方法制備得到的錫酸鎘靶材。
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