[發明專利]閃存單元及閃存裝置

在審

• 申請號: 201410558410.8
• 申請日: 2014-10-20
• 公開（公告）號: CN104409460A
• 公開（公告）日: 2015-03-11
• 發明（設計）人: 郝寧;孟祥鶴;羅家俊;韓鄭生
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L29/423
• 代理公司: 北京漢昊知識產權代理事務所(普通合伙) 11370
• 代理人: 朱海波

1.一種閃存單元，包括：

襯底；

位于襯底上的第一介質層；

位于第一介質層上、具有多個浮柵的浮柵層；

所述多個浮柵中相鄰浮柵間的隔離層；

位于浮柵層上的第二介質層；

位于包含第一介質層/浮柵層/第二介質層的三層堆疊結構上的控制柵層；

包裹第一介質層/浮柵層/第二介質層/控制柵層的四層堆疊結構的外介質層；以及

位于所述三層堆疊結構兩側的源區和漏區。

2.根據權利要求1所述的閃存單元，其特征在于：所述多個浮柵中的每個為條狀。

3.根據權利要求1所述的閃存單元，其特征在于：

所述隔離層的材料為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

4.根據權利要求1所述的閃存單元，其特征在于：所述閃存單元還包括場氧化區。

5.根據權利要求1所述的閃存單元，其特征在于：在源區和漏區之間形成溝道區，所述多個浮柵中的每個浮柵以及每個隔離層平行于所述溝道區。

6.一種閃存裝置,其特征在于，包括根據權利要求1-5中任一個所述的閃存單元。