[發明專利]支撐裝置、襯底處理設備以及襯底處理方法有效
| 申請號: | 201410557665.2 | 申請日: | 2014-10-20 |
| 公開(公告)號: | CN104576487B | 公開(公告)日: | 2019-10-01 |
| 發明(設計)人: | 池尙炫 | 申請(專利權)人: | AP系統股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 韓國京畿道華城市*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 襯底 支撐單元 支撐主體 襯底處理設備 襯底處理 處理設備 工藝腔室 支撐裝置 插入件 垂直地 熱損失 預加熱 產率 加載 安置 延伸 生產 | ||
1.一種支撐裝置,其包括至少一個支撐單元,其特征在于所述支撐單元包括:
支撐主體,所述支撐主體在垂直方向上延伸預定長度且安置在相對于用于產生熱的熱源的位置,其中襯底放置在所述支撐主體的上部上;以及
插入件,所述插入件安置在所述支撐主體中,
其中所述支撐主體具有到所述支撐主體的上側寬度逐漸減小的銷狀,其中所述支撐主體由具有透光率和導熱性的材料構成以使所述熱源排出的熱經由所述支撐主體傳送,
所述插入件由具有耐熱性和導熱性的材料構成以吸收從所述熱源產生并且傳送通過所述支撐主體的熱量,并且將熱量排出到所述支撐主體。
2.根據權利要求1所述的支撐裝置,其特征在于其中所述插入件連接到用于控制所述插入件的溫度的加熱控制器上。
3.根據權利要求2所述的支撐裝置,其特征在于其中所述插入件具有與所述支撐主體的形狀相同或類似的形狀,以及比所述支撐主體的寬度小的寬度。
4.根據權利要求3所述的支撐裝置,其特征在于其中所述插入件包括彎曲部分,所述彎曲部分具有比所述支撐主體的寬度小的寬度、垂直地延伸預定長度并且橫向地彎曲。
5.根據權利要求1到4中的任一權利要求所述的支撐裝置,其特征在于其中所述插入件包括石墨、金屬和線圈中的至少一種。
6.一種襯底處理設備,其特征在于包括:
工藝腔室,所述工藝腔室形成內部空間;
加熱塊,所述加熱塊安置在所述工藝腔室的上部和下部中的至少一者上并且包括熱源;以及
至少一個支撐單元,所述至少一個支撐單元安置在與所述加熱塊的位置相對的位置中并且在其中包括插入件,
其中所述支撐單元包括:
支撐主體,具有在垂直方向上延伸并且到所述支撐主體的上側寬度逐漸減小的銷狀;以及
所述插入件安置在所述支撐主體中,
所述支撐主體由具有透光率和導熱性的材料構成以使所述熱源排出的熱經由所述支撐主體傳送,
所述插入件由具有耐熱性和導熱性的材料構成以吸收從所述熱源排出并且傳送通過所述支撐主體的熱量,并且將熱量排出到所述支撐主體。
7.根據權利要求6所述的襯底處理設備,其特征在于其中加熱控制器安置在所述工藝腔室外部以向所述插入件施加電力從而加熱所述插入件,并且
檢查襯底的工藝溫度且接著將所述插入件加熱到等于所述工藝溫度或低于所述工藝溫度5%到10%的溫度。
8.根據權利要求7所述的襯底處理設備,其特征在于其中在所述工藝腔室內部的下部中安置底座以形成用于將所述插入件連接到所述加熱控制器上的路徑。
9.根據權利要求6所述的襯底處理設備,其特征在于其中在所述加熱塊與所述工藝腔室之間安置透射窗口,并且
所述透射窗口由光透射材料構成。
10.一種襯底處理方法,其特征在于包括:
制備襯底的工藝;
預加熱安置在工藝腔室中的襯底支撐單元的工藝,所述襯底支撐單元具有到所述襯底支撐單元的上側寬度逐漸減小的銷狀;
在所述工藝腔室中加載所述襯底以將所述襯底放置在所述襯底支撐單元上的工藝;以及
加熱所述襯底的工藝,
其中預加熱所述襯底支撐單元的所述工藝包括:
從安裝在所述工藝腔室上的熱源發射的熱量加熱以將光傳輸到所述襯底支撐單元的支撐主體中的工藝;
通過插入件吸收透過所述支撐主體的光以加熱所述插入件的工藝;以及
通過從所述插入件排出的熱量來預熱所述支撐主體的工藝。
11.根據權利要求10所述的襯底處理方法,其特征在于其中使用以下方法預加熱所述襯底支撐單元:直接加熱方法,其中所述襯底支撐單元通過連接到所述襯底支撐單元上的加熱控制器加熱。
12.根據權利要求11所述的襯底處理方法,其特征在于其中所述襯底支撐單元預加熱到等于所述襯底的工藝溫度或低于所述工藝溫度5%到10%的溫度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





