[發(fā)明專利]薄膜晶體管基板及包含其的顯示設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410557303.3
• 申請日: 2014-10-20
• 公開（公告）號: CN105590935B
• 公開（公告）日: 2018-11-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 沈義和;張榮芳
• 申請（專利權(quán)）人: 群創(chuàng)光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種薄膜晶體管基板，包括：

一基層；

一半導(dǎo)體層，設(shè)置于該基層上；

一源極電極與一漏極電極，設(shè)置于該半導(dǎo)體層上；以及

一柵極電極，設(shè)置于該半導(dǎo)體層上；

其中，該半導(dǎo)體層包含一第一區(qū)、一第二區(qū)及一第三區(qū)，該第一區(qū)對應(yīng)該柵極電極，該第二區(qū)對應(yīng)該源極電極，以及該第三區(qū)對應(yīng)該漏極電極，

其中，該第一區(qū)具有一第一厚度，該第二區(qū)具有一第二厚度，該第三區(qū)具有一第三厚度，且該第一厚度大于該第二厚度或該第三厚度。

2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，該第二厚度或該第三厚度為該第一厚度的1％至50％。

3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，該半導(dǎo)體層還包括一第四區(qū)，位于該第一區(qū)及該第二區(qū)之間，該第四區(qū)具有一第四厚度，且該第四厚度介于該第一厚度及該第二厚度之間。

4.如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管基板，其中，該第二厚度為該第四厚度的1％至50％。

5.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，該半導(dǎo)體層還包括一第五區(qū)，位于該第一區(qū)及該第三區(qū)之間，該第五區(qū)具有一第五厚度，且該第五厚度介于該第一厚度及該第三厚度之間。

6.如權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管基板，其中，該第三厚度為該第五厚度的1％至50％。

7.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，該第二區(qū)具有一第一側(cè)及相對的一第二側(cè)，該第一側(cè)鄰近該第一區(qū)；以及

該半導(dǎo)體層還包括一第六區(qū)，其鄰近該第二區(qū)的該第二側(cè)，該第六區(qū)具有一第六厚度，且該第六厚度介于該第一厚度及該第二厚度之間。

8.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，該第三區(qū)具有一第一側(cè)及相對的一第二側(cè)，該第一側(cè)鄰近該第一區(qū)；以及

該半導(dǎo)體層還包括一第七區(qū)，其鄰近該第三區(qū)的該第二側(cè)，該第七區(qū)具有一第七厚度，且該第七厚度介于該第一厚度及該第三厚度之間。

9.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其是為一上柵極式薄膜晶體管基板。

10.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，該半導(dǎo)體層是氧化銦鎵鋅、氧化銦錫鋅、或其他金屬氧化物半導(dǎo)體。

11.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，該半導(dǎo)體層是非晶硅、多晶硅、或結(jié)晶硅。

12.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，該半導(dǎo)體層是P13、DH4T、或五苯環(huán)的有機半導(dǎo)體。

13.一種顯示設(shè)備，包括：

該如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板；

一對側(cè)基板，設(shè)置于該薄膜晶體管基板上；以及

一顯示單元，設(shè)置于該薄膜晶體管基板與該對側(cè)基板之間。

14.如權(quán)利要求13所述的顯示設(shè)備，其是為一有機發(fā)光二極管裝置或一液晶顯示設(shè)備。