[發明專利]用于太陽光譜調制的Tm3+/Yb3+雙摻雜α-NaYF4單晶體及其制備方法

有效

• 申請號: 201410556999.8
• 申請日: 2014-10-15
• 公開（公告）號: CN104342754A
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發明（設計）人: 張加忠;夏海平;楊碩;姜永章;符立;董艷明;李珊珊;張約品
• 申請（專利權）人: 寧波大學
• 主分類號: C30B29/12
• 分類號: C30B29/12;C30B11/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.用于太陽光譜調制的Tm³⁺/Yb³⁺雙摻雜α-NaYF₄單晶體，其特征在于該晶體的化學式為α-NaY_(l-x-y)Tm_xYb_yF₄，其中x、y分別為Tm³⁺、Yb³⁺置換Y的摩爾比，0.01≤x+y≤0.15。

2.如權利要求1所述的用于太陽光譜調制的Tm³⁺/Yb³⁺雙摻雜α-NaYF₄單晶體，其特征在于所述的x、y的比例為x∶y＝1∶2～80。

3.如權利要求1所述的用于太陽光譜調制的Tm³⁺/Yb³⁺雙摻雜α-NaYF₄單晶體的制備方法，其特征在于具體步驟如下：

1)、將NaF、KF、YF₃、TmF₃、YbF₃按摩爾比NaF∶KF∶(YF₃+TmF₃+YbF₃)＝1～2.4∶1∶2.24～3.4，且TmF₃∶YbF₃＝1∶2～80，YF₃∶(TmF₃+YbF₃)＝1∶0.01～0.15混合，置于碾磨器中，碾磨混合5～6h，得到均勻粉末的混合料；

2)、將上述混合料置于舟形鉑金坩鍋中，再安裝于管式電阻爐的鉑金管道中，然后先用N₂氣排除鉑金管道中的空氣，再在溫度770～800℃，通HF氣下，反應處理1～5小時，反應處理結束，關閉HF氣體與管式電阻爐，用N₂氣清洗管道中殘留的HF氣體，得到多晶粉料；

3)、以KF作為助熔劑，采用密封坩鍋下降法進行晶體生長，將上述多晶粉料置于碾磨器磨成粉末，然后置于Pt坩堝中并壓實，密封Pt坩堝；

4)、將密封的Pt坩堝置于硅鉬棒爐中，用坩堝下降法生長晶體，生長晶體的參數為：爐體溫度為950～980℃，接種溫度為810～860℃，固液界面的溫度梯度為60～80℃/cm，坩鍋下降速度為0.2～2.0mm/h，在晶體生長結束后，以20～80℃/h下降爐溫至室溫，得到Tm³⁺/Yb³⁺雙摻雜α-NaYF₄單晶體。

4.根據權利要求3所述的用于太陽光譜調制的Tm³⁺/Yb³⁺雙摻雜α-NaYF₄單晶體的制備方法，其特征在于所述的步驟1)中NaF、KF、YF₃、TmF₃和YbF₃的純度均大于99.99％。