[發明專利]一種低成本大功率半導體基橫模激光器芯片結構

有效

• 申請號: 201410555782.5
• 申請日: 2014-10-20
• 公開（公告）號: CN104269739B
• 公開（公告）日: 2017-03-22
• 發明（設計）人: 劉剛明;張靖;鄧光華;段利華;周勇
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十四研究所
• 主分類號: H01S5/24
• 分類號: H01S5/24
• 代理公司: 北京一格知識產權代理事務所(普通合伙)11316
• 代理人: 劉佳

1.一種低成本大功率半導體基橫模激光器芯片結構，其特征在于，包括振蕩部分、過渡部分、放大部分和底面溝槽，所述過渡部分將所述振蕩部分和放大部分連接并融合在一起，所述底面溝槽分別位于所述振蕩部分、過渡部分和放大部分的兩側，且所述振蕩部分、過渡部分和放大部分兩側的底面溝槽深度不同。

2.根據權利要求1所述的低成本大功率半導體基橫模激光器芯片結構，其特征在于，所述振蕩部分兩側的底面溝槽深度較深，所述放大部分兩側的底面溝槽深度較淺，所述過渡部分兩側的底面溝槽深度介于所述振蕩部分和放大部分兩側的底面溝槽深度之間。

3.根據權利要求2所述的低成本大功率半導體基橫模激光器芯片結構，其特征在于，所述振蕩部分兩側的底面溝槽深度為1-3微米，所述過渡部分兩側的底面溝槽深度為0.5-3微米，所述放大部分兩側的底面溝槽深度為0.5-2微米。

4.根據權利要求1所述的低成本大功率半導體基橫模激光器芯片結構，其特征在于，所述過渡部分兩側的底面溝槽為在水平和垂直方向均具有傾斜角度的傾斜溝槽。

5.根據權利要求4所述的低成本大功率半導體基橫模激光器芯片結構，其特征在于，所述過渡部分兩側的底面傾斜溝槽，在水平方向的傾斜角度為1微米/100微米～10微米/100微米，在垂直方向的傾斜角度為0.2微米/100微米～5微米/100微米。

6.根據權利要求1所述的低成本大功率半導體基橫模激光器芯片結構，其特征在于，所述振蕩部分兩側的底面溝槽寬度為2-10微米，所述過渡部分兩側的底面溝槽寬度為2-40微米，所述放大部分兩側的底面溝槽寬度為20-40微米。

7.根據權利要求1所述的低成本大功率半導體基橫模激光器芯片結構，其特征在于，所述振蕩部分的寬度為2-4微米，所述過渡部分的寬度為2-8微米，所述放大部分的寬度為4-8微米。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的低成本大功率半導體基橫模激光器芯片結構，其特征在于，所述芯片結構還包括設置于芯片后端面的反射膜，以及設置于芯片前端面的增透膜。

9.根據權利要求8所述的低成本大功率半導體基橫模激光器芯片結構，其特征在于，所述反射膜與增透膜鍍設于芯片的后端面與前端面上。

10.根據權利要求8所述的低成本大功率半導體基橫模激光器芯片結構，其特征在于，所述反射膜的反射率為50％-100％，所述增透膜的反射率小于等于15％。