[發明專利]用于測量SRAM的傳輸門器件的閾值電壓的方法和電路

有效

• 申請號: 201410554697.7
• 申請日: 2014-10-17
• 公開（公告）號: CN105575422B
• 公開（公告）日: 2018-09-21
• 發明（設計）人: 張弓;李煜
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G11C11/413
• 分類號: G11C11/413
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種用于測量SRAM的傳輸門器件的閾值電壓的方法，其特征在于，所述方法包括：

為所述SRAM的上拉晶體管的襯底施加第一電壓；

為所述SRAM的下拉晶體管的襯底施加第二電壓；

為所述SRAM的傳輸門晶體管的襯底施加所述第二電壓、漏極施加第三電壓；

將所述傳輸門晶體管中的待測傳輸門晶體管的源極節點預設為低電位，將所述傳輸門晶體管中的非待測傳輸門晶體管的源極節點預設為高電位；

為所述傳輸門晶體管的柵極施加從零到第四電壓進行變化的電壓；以及

測量所述待測傳輸門晶體管的溝道電流，當所述溝道電流達到預設電流值時，為所述傳輸門晶體管的柵極施加的電壓為所述待測傳輸門晶體管的閾值電壓。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一電壓為Vdd，所述第二電壓為Vss。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第三電壓與所述第一電壓相等。

4.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第四電壓與所述第一電壓相等。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述預設電流值為100nA。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，為所述傳輸門晶體管的柵極施加的電壓按照預定步進值從零到所述第四電壓進行變化。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述預定步進值為0.02V。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述測量所述待測傳輸門晶體管的溝道電流包括測量所述待測傳輸門晶體管的漏極節點處的電流。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述待測傳輸門晶體管通過選址的方式加以選擇。

10.一種根據權利要求1-9中任意一項的方法測量SRAM的傳輸門器件的閾值電壓的電路，其特征在于，所述電路包括待測SRAM，其中：

所述待測SRAM的上拉晶體管的襯底連接第一電源；

所述待測SRAM的下拉晶體管的襯底連接第二電源；

所述待測SRAM的傳輸門晶體管的襯底連接所述第二電源、漏極連接第三電源、柵極連接第四電源，所述第四電源的電壓從零到第四電壓進行變化；

所述傳輸門晶體管中的待測傳輸門晶體管的源極節點預設為低電位，所述傳輸門晶體管中的非待測傳輸門晶體管的源極節點預設為高電位；以及

當所述待測傳輸門晶體管的溝道電流達到預設電流值時所述傳輸門晶體管的柵極電壓為所述待測傳輸門晶體管的閾值電壓。