[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410554630.3
• 申請(qǐng)日: 2014-10-17
• 公開（公告）號(hào): CN105575916A
• 公開（公告）日: 2016-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 江盧山;陳曉軍;陳福成
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/16
• 分類號(hào): H01L23/16;H01L21/50
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有器件層，其中所述器件層包 括多個(gè)芯片區(qū)域，所述芯片區(qū)域之間不具有密封環(huán)且以劃片線區(qū)域相互隔開；

刻蝕所述器件層和所述半導(dǎo)體襯底的至少一部分，以在所述劃片線區(qū)域 形成溝槽；以及

在所述溝槽中和所述器件層上形成鈍化層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯片區(qū)域包括焊墊， 所述方法進(jìn)一步包括：在形成所述鈍化層之后，刻蝕所述鈍化層以暴露所述 溝槽底部的所述半導(dǎo)體襯底和所述焊墊。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，刻蝕所述鈍化層的步驟包 括：

在所述鈍化層上形成干膜層；

圖案化所述干膜層；

以所述干膜層為掩膜刻蝕所述鈍化層；以及

移除所述干膜層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述干膜層為包括光阻層 的多層膜結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用干式反應(yīng)離子刻蝕工 藝刻蝕所述器件層和所述半導(dǎo)體襯底的至少一部分。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用激光刻蝕工藝刻蝕所 述器件層和所述半導(dǎo)體襯底的至少一部分。

7.一種采用權(quán)利要求1-6之一所述的方法制造的半導(dǎo)體器件。

8.一種電子裝置，所述電子裝置包括權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件。