[發明專利]一種淺溝槽隔離結構及其制作方法

在審

• 申請號: 201410554587.0
• 申請日: 2014-10-17
• 公開（公告）號: CN105575878A
• 公開（公告）日: 2016-05-11
• 發明（設計）人: 劉金華
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種淺溝槽隔離結構的制作方法，其特征在于，包括：

a)提供半導體襯底；

b)在所述半導體襯底中形成具有第一寬度的第一溝槽；

c)采用C_xF氣體處理所述第一溝槽內暴露的所述半導體襯底， 以在所述第一溝槽的側壁和底部形成第一鈍化層；

d)去除位于所述第一溝槽底部的所述第一鈍化層；

e)采用各向同性刻蝕工藝刻蝕所述第一溝槽底部的所述半導體 襯底，以形成具有第二寬度的第二溝槽，其中，所述第二寬度大于所 述第一寬度；

f)刻蝕位于所述第二溝槽底部的部分所述半導體襯底，以形成 具有第三寬度的第三溝槽，所述第三寬度小于所述第二寬度；

g)在所述第一溝槽、所述第二溝槽和所述第三溝槽內填充淺溝 槽隔離材料，以形成淺溝槽隔離結構。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述步驟 e)之后和所述步驟f)之前，還包括以下步驟：

采用C_xF氣體處理所述第二溝槽內暴露的所述半導體襯底，以在 所述第二溝槽的側壁和底部形成第二鈍化層；

去除所述第二溝槽底部的部分所述第二鈍化層，暴露所述半導體 襯底的一部分。

3.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，在所述步驟 f)之后和所述步驟g)之前，還包括去除剩余的所述第一鈍化層和所 述第二鈍化層的步驟。

4.根據權利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述C_xF 氣體選自CF₄、CHF₃、C₃F₈、C₃F₉、C₂F₆、C₄F₈和C₅F₈中的一種或多 種。

5.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一鈍 化層和所述第二鈍化層均包含碳和氟元素。

6.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二溝 槽具有圓弧形側壁。

7.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用各向異 性刻蝕工藝刻蝕位于所述第二溝槽底部的部分所述半導體襯底，以形 成所述第三溝槽。

8.一種淺溝槽隔離結構，其特征在于，所述淺溝槽隔離結構包 括第一子淺溝槽隔離結構、位于所述第一子淺溝槽隔離結構正下方的 第二子淺溝槽隔離結構和位于所述第二子淺溝槽隔離結構正下方的 第三子淺溝槽隔離結構，所述第一子淺溝槽隔離結構具有第一寬度， 所述第二子淺溝槽隔離結構具有第二寬度，所述第三子淺溝槽隔離結 構具有第三寬度，其中，所述第二寬度大于所述第一寬度，且大于所 述第三寬度。

9.根據權利要求8所述的淺溝槽隔離結構，其特征在于，所述 第二淺溝槽隔離結構具有圓弧形的側壁。