[發(fā)明專(zhuān)利]一種具有前饋補(bǔ)償?shù)陌雽?dǎo)體工藝設(shè)備的溫控方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410554332.4
• 申請(qǐng)日: 2014-10-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104298268A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-01-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王峰;付運(yùn)濤;劉晨曦
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G05D23/00
• 分類(lèi)號(hào): G05D23/00
• 代理公司: 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;林彥之

1.一種具有前饋補(bǔ)償?shù)陌雽?dǎo)體工藝設(shè)備的溫控方法，所述半導(dǎo)體工藝設(shè)備中包括一個(gè)或多個(gè)控溫區(qū)的溫控，其特征在于，所述方法包括：

步驟S1：根據(jù)半導(dǎo)體工藝預(yù)設(shè)的溫控條件，構(gòu)建溫控的前饋補(bǔ)償參考信號(hào)軌跡；其中，所述預(yù)設(shè)溫控條件包括初始溫度t、目標(biāo)溫度T和升溫速率K；所述步驟S1具體包括：

步驟S11：將整個(gè)溫控升溫階段劃分為包括高速升溫階段和標(biāo)準(zhǔn)升溫階段，所述高速升溫階段完成從初始溫度t到第一中間溫度t’的升溫過(guò)程，所述標(biāo)準(zhǔn)升溫階段完成從第一中間溫度t’到目標(biāo)溫度T的升溫過(guò)程；所述標(biāo)準(zhǔn)升溫階段的參考信號(hào)軌跡滿足所述預(yù)設(shè)溫控條件，所述高速升溫階段的升溫速率高于所述標(biāo)準(zhǔn)升溫階段的升溫速率；

步驟S12：根據(jù)所述半導(dǎo)體工藝設(shè)備中包括一個(gè)或多個(gè)控溫區(qū)的溫控目標(biāo)溫度T和升溫速率K的預(yù)設(shè)條件，規(guī)劃所述標(biāo)準(zhǔn)升溫階段的標(biāo)準(zhǔn)期望信號(hào)軌跡；并基于所述標(biāo)準(zhǔn)期望信號(hào)軌跡，溫控系統(tǒng)模擬或?qū)嶋H完成對(duì)起始溫度t到預(yù)設(shè)目標(biāo)溫度T的控制過(guò)程，并根據(jù)所述控制過(guò)程獲取所述標(biāo)準(zhǔn)升溫階段的溫度響應(yīng)曲線；

步驟S13：根據(jù)所述高速升溫階段T’的預(yù)設(shè)升溫速率k’，規(guī)劃所述標(biāo)準(zhǔn)高速升溫階段的期望信號(hào)軌跡；并基于所述期望信號(hào)軌跡，溫控系統(tǒng)模擬完成對(duì)初始溫度t到第一中間溫度t’的控制過(guò)程，并根據(jù)所述控制過(guò)程獲取所述高速升溫階段的溫度響應(yīng)曲線；

步驟S14：根據(jù)所述控制過(guò)程獲取所述高速升溫階段的溫度響應(yīng)曲線和所述標(biāo)準(zhǔn)升溫階段的溫度響應(yīng)曲線，獲取在第一中間溫度t’點(diǎn)拼接的前饋補(bǔ)償參考信號(hào)的軌跡；

步驟S2：基于獲得的所述前饋補(bǔ)償參考信號(hào)的軌跡，進(jìn)行所述溫控系統(tǒng)的控制操作。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備的溫控方法，其特征在于，所述高速升溫階段T’由多段組成，最后一段的預(yù)設(shè)升溫速率為升溫速率k’。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備的溫控方法，其特征在于，所述高速升溫階段T’中的最后一段的預(yù)設(shè)升溫速率低于前幾段的升溫速率。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備的溫控方法，其特征在于，所述高速升溫階段T’中前幾段的升溫速率依次遞減。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備的溫控方法，其特征在于，所述第一中間溫度t’為在所述標(biāo)準(zhǔn)升溫階段的溫度響應(yīng)曲線上所述目標(biāo)溫度T和初始溫度t的溫度平均值點(diǎn)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備的溫控方法，其特征在于，所述的步驟S12中的預(yù)設(shè)條件選取規(guī)則如下：

當(dāng)系統(tǒng)為單溫區(qū)加熱時(shí)，預(yù)設(shè)一初始溫度t、目標(biāo)溫度T及目標(biāo)升溫速率K，在所述目標(biāo)升溫速率K下，根據(jù)所述初始溫度t達(dá)到所述目標(biāo)溫度T的過(guò)程規(guī)劃獲取標(biāo)準(zhǔn)期望信號(hào)；

當(dāng)系統(tǒng)為多溫區(qū)加熱時(shí)，預(yù)設(shè)一初始溫度t、目標(biāo)溫度T及各溫區(qū)中目標(biāo)升溫速率的最小值K，在所述升溫速率K下，根據(jù)所述初始溫度t達(dá)到所述目標(biāo)溫度T的過(guò)程規(guī)劃獲取標(biāo)準(zhǔn)期望信號(hào)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任意一個(gè)所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備的溫控方法，其特征在于，所述的標(biāo)準(zhǔn)升溫階段包括第一升溫階段和第二升溫階段，所述第一升溫階段完成從第一中間溫度t’到第二中間溫度t”的升溫過(guò)程，所述第二升溫階段完成從第二中間溫度t”到目標(biāo)溫度T的升溫過(guò)程；所述第一升溫階段的參考信號(hào)軌跡滿足所述預(yù)設(shè)溫控條件，所述第二升溫階段的升溫速率低于所述標(biāo)準(zhǔn)升溫階段的升溫速率。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備的溫控方法，其特征在于，所述第一升溫階段和第二升溫階段的時(shí)間比例為1:6。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備的溫控方法，其特征在于，所述第二升溫階段由多段不同升溫速率的子階段組成，所述第二升溫階段中的初始一段的預(yù)設(shè)升溫速率高于后幾段的升溫速率。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備的溫控方法，其特征在于，所述第二升溫階段中的后幾段的升溫速率依次遞減。