[發明專利]一種嵌入式閃存及其制備方法、電子裝置

有效

• 申請號: 201410554069.9
• 申請日: 2014-10-17
• 公開（公告）號: CN105575968B
• 公開（公告）日: 2019-05-17
• 發明（設計）人: 王新鵬
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;馮永貞

1.一種嵌入式閃存的制備方法，包括：

步驟S1：提供基底，在所述基底中形成有通過淺溝槽隔離氧化物相隔離的有源區，所述淺溝槽隔離氧化物的頂部高于所述基底的表面；

步驟S2：沉積浮柵材料層，以覆蓋所述有源區和所述淺溝槽隔離氧化物；

步驟S3：平坦化所述浮柵材料層，以露出所述淺溝槽隔離氧化物的表面；

步驟S4：回蝕刻所述浮柵材料層，以減小所述浮柵材料層的厚度，露出部分高度的所述淺溝槽隔離氧化物；

步驟S5：回蝕刻露出的所述淺溝槽隔離氧化物，以減小露出的所述淺溝槽隔離氧化物的關鍵尺寸；

步驟S6：再次沉積所述浮柵材料層至所述淺溝槽隔離氧化物的頂部，以包圍所述淺溝槽隔離氧化物，并平坦化所述浮柵材料層；

步驟S7：去除所述淺溝槽隔離氧化物中關鍵尺寸減小的部分，以在所述有源區上形成T形浮柵。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S6中，所述T形浮柵頂部的關鍵尺寸為60-110nm，底部的關鍵尺寸為50-75nm。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S4中，所述回蝕刻選用與所述淺溝槽隔離氧化物的蝕刻選擇比大于200的方法。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述T形浮柵的結構中底部豎直的”I”部分的高度取決于步驟S4的剩余浮柵材料層的厚度。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S4中，回蝕刻所述浮柵材料層至厚度為60-300埃。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S5中，在所述回蝕刻步驟之后，所述淺溝槽隔離氧化物的厚度為100-1000埃。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S5中，在所述回蝕刻之后，暴露、突出浮柵出來的淺溝槽隔離氧化物呈上窄下寬的子彈形狀。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S6中，選用外延法或者選擇性沉積方法再次沉積所述浮柵材料層。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S1包括：

步驟S11：提供基底，在所述基底上形成氧化物層和氮化物層；

步驟S12：圖案化所述氧化物層、氮化物層和所述基底，以形成溝槽；

步驟S13：沉積淺溝槽隔離氧化物并平坦化，以填充所述溝槽；

步驟S14：去除所述氧化物層和所述氮化物層，以露出所述基底。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述步驟S1還包括：

步驟S15：在所述基底上形成隧穿氧化物層。

11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S7之后，所述方法進一步包括：

步驟S8：在所述T形浮柵上形成隔離材料層；

步驟S9：在所述隔離材料層上形成控制柵。

12.一種權利要求1至11之一的所述方法制備得到的嵌入式閃存。

13.一種電子裝置，包括權利要求12所述的嵌入式閃存。