[發明專利]一種壓電聚合物納米棒或納米線的簡單制備方法

在審

• 申請號: 201410554068.4
• 申請日: 2014-10-17
• 公開（公告）號: CN105576118A
• 公開（公告）日: 2016-05-11
• 發明（設計）人: 郭棟;蔡鍇;王云麗;鄧平曄;陳小隨
• 申請（專利權）人: 中國科學院聲學研究所
• 主分類號: H01L41/37
• 分類號: H01L41/37;B82Y40/00
• 代理公司: 北京方安思達知識產權代理有限公司 11472
• 代理人: 王宇楊;王敬波

1.一種壓電聚合物納米棒或納米線的簡單制備方法，包括以下步驟：

(1)將聚偏二氟乙烯-三氟乙烯共聚物溶解在有機溶劑中，得到濃度為0.3 wt％～5.0wt％的溶液，其中所述的聚偏二氟乙烯-三氟乙烯共聚物中偏二氟乙烯的摩 爾含量為50％～82％，且所述的有機溶劑為聚偏二氟乙烯-三氟乙烯共聚物的良溶劑；

(2)采用常用清洗劑及清洗方式對待沉積壓電聚合物納米結構的無機基片或有 機基片進行清洗，用惰性氣體吹干基片；

(3)利用(1)中得到的溶液，通過旋涂、浸涂或澆注涂覆法，在步驟(2)所 得基片上制備去潤濕化的不連續薄膜樣品；

(4)將步驟(3)中得到的樣品置于加熱臺上，進行干燥和加熱處理，加熱溫 度為145～170℃，加熱時間為2～30min；

(5)將加熱后的薄膜樣品立刻放置于室溫環境冷卻，薄膜在干燥和非等溫結晶 過程中分子鏈受擴散限制作用形成極化軸傾向于與基片平行排列的壓電聚合物納米 棒或納米線。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述壓電聚合物納米棒或納 米線的直徑為10～500nm，納米棒的長度為50nm～1.5μm，納米線的長度為0.5～50 μm，其分布方式為無序分布或有序分布。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述聚偏二氟乙 烯-三氟乙烯共聚物的良溶劑為能夠溶解聚偏二氟乙烯-三氟乙烯共聚物的單一或混 合有機溶劑，其中，所述的單一溶劑選自丙酮、丁酮、環己酮及二甲基甲酰胺中的 一種；所述混合溶劑為由丙酮、丁酮、環己酮及二甲基甲酰胺中的兩種或多種混合 而成的溶劑。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(2)所述無機基片選自 Si片、鍍金屬Si片、玻璃片及電極涂覆的玻璃片中的一種。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(2)所述有機基片選自 聚酰亞胺基片、聚對苯二甲酸乙二醇酯基片、聚甲基丙烯酸甲酯基片及電極涂覆的 有機基片中的一種。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(2)所述常用清洗劑為 丙酮、異丙醇、乙醇及去離子水中的一種或幾種，所述清洗方式為浸泡及超聲清洗。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述納米棒或納米線可通過 以步驟(3)～(5)為周期進行重復操作而得到。