[發明專利]氮化物半導體結構有效
| 申請號： | 201410552714.3 | 申請日： | 2014-10-17 |
| 公開（公告）號： | CN105280770B | 公開（公告）日： | 2018-06-05 |
| 發明（設計）人： | 宣融;胡智威;詹益仁 | 申請（專利權）人： | 嘉晶電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/12 | 分類號： | H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科學*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化物半導體 復合緩沖層 成核層 碳化硅 氮化物半導體層 襯底 半導體結構 氮化鋁 | ||
1.一種氮化物半導體結構，其特征在于，包括：
襯底；
碳化硅成核層，位于所述襯底上；
復合緩沖層，位于所述碳化硅成核層上；以及
氮化物半導體層，位于所述復合緩沖層上，
其中所述氮化物半導體結構為無氮化鋁的半導體結構，其中所述復合緩沖層包括第一緩沖層以及第二緩沖層，所述第一緩沖層接觸所述碳化硅成核層，其中所述第一緩沖層包括AlxGaN層，其中0<x<1。
2.根據權利要求1所述的氮化物半導體結構，其特征在于，所述第二緩沖層包括相互交疊的多個AlyGa1-yN層以及多個AlzGa1-zN層，其中0<y<1，0<z<1且y不等于z。
3.根據權利要求2所述的氮化物半導體結構，其特征在于，x>(y+z)/2。
4.根據權利要求1所述的氮化物半導體結構，其特征在于，所述第二緩沖層包括氮化鋁鎵塊體層。
5.根據權利要求1所述的氮化物半導體結構，其特征在于，所述第二緩沖層包括鋁含量階梯漸變的氮化鋁鎵漸變層。
6.根據權利要求1所述的氮化物半導體結構，其特征在于，所述第二緩沖層包括鋁含量連續漸變的氮化鋁鎵漸變層。
7.根據權利要求1所述的氮化物半導體結構，其特征在于，所述復合緩沖層還包括第三緩沖層，所述第三緩沖層位于所述氮化物半導體層與所述第二緩沖層之間。
8.根據權利要求7所述的氮化物半導體結構，其特征在于，所述第三緩沖層包括碳化硅層。
9.根據權利要求7所述的氮化物半導體結構，其特征在于，所述第三緩沖層包括相互交疊的多個碳化硅層與多個氮化鎵層。
10.根據權利要求7所述的氮化物半導體結構，其特征在于，所述第三緩沖層的厚度介于5納米至100納米之間。
11.根據權利要求1所述的氮化物半導體結構，其特征在于，所述碳化硅成核層為立方晶系。
12.根據權利要求1所述的氮化物半導體結構，其特征在于，所述碳化硅成核層的厚度介于50納米至3000納米之間。
13.根據權利要求1所述的氮化物半導體結構，其特征在于，所述第一緩沖層的厚度介于0.1微米至3微米之間。
14.根據權利要求1所述的氮化物半導體結構，其特征在于，所述第二緩沖層的厚度介于0.1微米至3微米之間。
15.根據權利要求1所述的氮化物半導體結構，其特征在于，所述第一緩沖層以及所述第二緩沖層的厚度總合介于0.2微米至4微米之間。
16.根據權利要求1所述的氮化物半導體結構，其特征在于，所述襯底的材料包括硅、氧化鋁或玻璃。
17.根據權利要求1所述的氮化物半導體結構，其特征在于，所述襯底為圖案化襯底。
18.根據權利要求1所述的氮化物半導體結構，其特征在于，所述氮化物半導體層的厚度介于1微米至8微米之間。
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