[發明專利]半導體封裝件及其制法

有效

• 申請號: 201410552457.3
• 申請日: 2014-10-17
• 公開（公告）號: CN105448899B
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發明（設計）人: 邱志賢;方顥儒;鐘興隆;張卓興;蔡宗賢;陳嘉揚;柯俊吉
• 申請（專利權）人: 矽品精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L23/31;H01L23/552;H01L21/56
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種半導體封裝件，包括：

基板，其具有相對的第一表面及第二表面；

多個半導體元件，其設置且電性連接于該基板的第一表面上；

封裝膠體，其覆蓋于該基板的第一表面與各該半導體元件上，且該封裝膠體具有至少一第一溝槽，以于該基板上劃分多個封裝單元，令每一個該封裝單元具有至少一個該半導體元件；

金屬層，其形成于該基板與封裝膠體上并包覆各該封裝單元的周圍，且該基板的第二表面外露于該金屬層，其中，該金屬層沿該第一溝槽的壁面布設，以于對應該第一溝槽處形成具有金屬表面的第二溝槽；以及

填充材，其填充于該第二溝槽中,該填充材為導電材,且該填充材的導電性低于該金屬層的導電性。

2.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特征為，該半導體封裝件為射頻模組。

3.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特征為，該半導體元件為射頻晶片。

4.如權利要求3所述的半導體封裝件，其特征為，該射頻晶片為藍牙晶片或Wi-Fi晶片。

5.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特征為，該封裝膠體具有外露的頂面與側面、及結合至該基板的第一表面的底面，且該第一溝槽貫穿該封裝膠體以連通該頂面與該基板的第一表面。

6.如權利要求5所述的半導體封裝件，其特征為，該金屬層形成于該封裝膠體的頂面與側面上。

7.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特征為，該金屬層選自銅、鎳、鐵、鋁或不銹鋼的材質。

8.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特征為，當該封裝膠體具有多個該第一溝槽時，該些第一溝槽排列成線形。

9.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特征為，該基板具有電性連接于該金屬層的接地結構。

10.如權利要求9所述的半導體封裝件，其特征為，該接地結構為位于對應該第一溝槽處的接地部，令該金屬層與該接地部相導通。

11.一種半導體封裝件的制法，包括：

設置多個半導體元件于承載件上；

形成封裝膠體于該承載件上以包覆各該半導體元件；

切割該封裝膠體及該承載件，以形成多個分離的封裝件預制品，該封裝件預制品包含：

基板，其具有相對的第一表面及第二表面，其中，該基板為經切割的承載件；

多個該半導體元件，其設置且電性連接于該基板的第一表面上；及

該封裝膠體，其覆蓋于該基板的第一表面與各該半導體元件上；

形成至少一第一溝槽于該封裝件預制品的該封裝膠體上，以于該基板上劃分多個封裝單元，令每一個該封裝單元具有至少一個該半導體元件；

形成金屬層于該基板與該封裝膠體上并包覆各該封裝單元的周圍，且令該基板的第二表面外露該金屬層，其中，該金屬層沿該第一溝槽的壁面布設，以于對應該第一溝槽處形成具有金屬表面的第二溝槽；以及

形成填充材于該第二溝槽中，該填充材為導電材,且該填充材的導電性低于該金屬層的導電性。

12.如權利要求11所述的半導體封裝件的制法，其特征為，該半導體封裝件為射頻模組。

13.如權利要求11所述的半導體封裝件的制法，其特征為，該半導體元件為射頻晶片。

14.如權利要求13所述的半導體封裝件的制法，其特征為，該射頻晶片為藍牙晶片或Wi-Fi晶片。

15.如權利要求11所述的半導體封裝件的制法，其特征為，該封裝膠體具有外露的頂面與側面、及結合至該基板的第一表面的底面，且該第一溝槽貫穿該封裝膠體以連通該頂面與該基板的第一表面。