[發明專利]一種襯底可重復利用的大功率發光二極管外延結構有效
| 申請號： | 201410551438.9 | 申請日： | 2014-10-17 |
| 公開（公告）號： | CN104332535A | 公開（公告）日： | 2015-02-04 |
| 發明（設計）人： | 林志偉;陳凱軒;張永;卓祥景;姜偉;楊凱;蔡建九;白繼鋒;劉碧霞 | 申請（專利權）人： | 廈門乾照光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/02 |
| 代理公司： | 廈門市新華專利商標代理有限公司 35203 | 代理人： | 廖吉保;唐紹烈 |
| 地址： | 361000 福建省廈門市火炬*** | 國省代碼： | 福建;35 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 襯底 重復 利用 大功率 發光二極管 外延 結構 | ||
1.一種襯底可重復利用的大功率發光二極管外延結構，其特征在于：包括外延襯底、襯底保護層、氧化剝離層、外延保護層、金屬反射層及外延發光結構；在外延襯底與外延發光結構之間設置氧化剝離層，氧化剝離層與外延發光結構之間設置外延保護層，氧化剝離層與外延襯底之間設置襯底保護層；在外延發光結構上設置金屬反射層，在金屬反射層上設置基板。
2.如權利要求1所述的一種襯底可重復利用的大功率發光二極管外延結構，其特征在于：氧化剝離層的構成材料包括AlAs與氧化鋁的混合物及其化合物。
3.如權利要求1所述的一種襯底可重復利用的大功率發光二極管外延結構，其特征在于：氧化剝離層的厚度為30-100nm。
4.如權利要求1所述的一種襯底可重復利用的大功率發光二極管外延結構，其特征在于：外延保護層為由第一外延保護層與第二外延保護層構成的雙層結構。
5.如權利要求4所述的一種襯底可重復利用的大功率發光二極管外延結構，其特征在于：第一外延保護層的構成材料包括?(AlxGa1-x)0.5In0.5P,0≤x≤1；第二外延保護層的構成材料包括AlyGa1-yAs,0≤y≤0.5。
6.如權利要求1所述的一種襯底可重復利用的大功率發光二極管外延結構，其特征在于：襯底保護層的構成材料包括?(AlxGa1-x)0.5In0.5P,0≤x≤0.5。
7.如權利要求1所述的一種襯底可重復利用的大功率發光二極管外延結構，其特征在于：外延發光結構由第一型電流擴展層、第一型限制層、有源層、第二型限制層及第二型電流擴展層構成；有源層一側設置第一型電流擴展層，在第一型電流擴展層與有源層之間設置第一型限制層；有源層另一側設置第二型電流擴展層，在第二型電流擴展層與有源層之間設置第二型限制層。
8.如權利要求7所述的一種襯底可重復利用的大功率發光二極管外延結構，其特征在于：第一型電流擴展層、第一型限制層及第二型限制層的構成材料包括?(AlxGa1-x)0.5In0.5P、AlyGa1-yAs,0≤x≤1，0≤y≤0.5；有源層的構成材料包括(AlxGa1-x)0.5In0.5P、AlyGa1-yAs,0≤x≤1，0≤y≤0.5；第二型電流擴展層的構成材料包括(AlxGa1-x)0.5In0.5P、AlyGa1-yAs、GaP,0≤x≤1，0≤y≤0.5。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于廈門乾照光電股份有限公司，未經廈門乾照光電股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410551438.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
