[發明專利]一種高濃度Te摻雜的發光二極管外延方法有效
| 申請號： | 201410551209.7 | 申請日： | 2014-10-17 |
| 公開（公告）號： | CN104332536A | 公開（公告）日： | 2015-02-04 |
| 發明（設計）人： | 林志偉;陳凱軒;張永;卓祥景;姜偉;楊凱;蔡建九;白繼鋒;劉碧霞 | 申請（專利權）人： | 廈門乾照光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/04 | 分類號： | H01L33/04;H01L33/12;H01L33/28 |
| 代理公司： | 廈門市新華專利商標代理有限公司 35203 | 代理人： | 廖吉保;唐紹烈 |
| 地址： | 361000 福建省廈門市火炬*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 濃度 te 摻雜 發光二極管 外延 方法 | ||
1.一種高濃度Te摻雜的發光二極管外延方法，其特征在于：包括以下步驟：
步驟一、在襯底上分別形成緩沖層、腐蝕阻擋層、粗化層，在粗化層外延生長結束前降低生長溫度；
步驟二、在粗化層上外延第一型電流擴展層的第一層結構；
步驟三、在第一型電流擴展層第一層結構上外延生長第一組超晶格；
步驟四、在第一組超晶格上外延生長第一型電流擴展層第二層結構；?
步驟五、重復步驟三、四的結構，直至在第n-1組超晶格上外延生長第一型電流擴展層第n層結構；
步驟六、在第一型電流擴展層第n層結構生長結束后，停頓且提高反應室壓力和加大載氣流量，以及提高外延生長溫度；
步驟七、在第一型電流擴展層第n層結構上接著外延生長第一型限制層、有源層、第二型限制層、第二型電流擴展層。
2.如權利要求1所述的一種高濃度Te摻雜的發光二極管外延方法，其特征在于：在粗化層外延生長結束前降低生長溫度，降低外延生長溫度的范圍10-50℃。
3.如權利要求1所述的一種高濃度Te摻雜的發光二極管外延方法，其特征在于：第一電流擴展層的n組結構層與超晶格的層與層之間的生長為無停頓生長。
4.如權利要求1所述的一種高濃度Te摻雜的發光二極管外延方法，其特征在于：第一型電流擴展層第n層結構生長結束后，停頓的時間范圍為15-80秒。
5.如權利要求1所述的一種高濃度Te摻雜的發光二極管外延方法，其特征在于：在第一型電流擴展層第n層結構生長結束后，提高外延生長溫度的范圍10-80℃。
6.如權利要求1所述的一種高濃度Te摻雜的發光二極管外延方法，其特征在于：在第一型電流擴展層第n層結構生長結束后，提高反應室壓力的范圍10-80mbar。
7.如權利要求1所述的一種高濃度Te摻雜的發光二極管外延方法，其特征在于：在第一型電流擴展層第n層結構生長結束后，加大載氣流量的范圍1000-3000sccm。
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