[發明專利]一種顯示面板的布線結構及顯示面板在審
| 申請號: | 201410548617.7 | 申請日: | 2014-10-16 |
| 公開(公告)號: | CN104280914A | 公開(公告)日: | 2015-01-14 |
| 發明(設計)人: | 張君愷 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/133 | 分類號: | G02F1/133;G02F1/1333;G02F1/13;G06F3/041 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 布線 結構 | ||
【技術領域】
本發明涉及顯示面板技術領域,特別涉及一種顯示面板的布線結構及顯示面板。
【背景技術】
液晶顯示裝置(LCD,Liquid?Crystal?Display)具有機身薄、省電、無輻射等眾多優點,得到了廣泛的應用。現有市場上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示器,其包括液晶顯示面板及背光模組(backlight?module)。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板中放置液晶分子,通過給玻璃基板的電路通電來控制液晶分子改變方向,將背光模組的光線折射出來產生畫面。
現有技術中,在將所述液晶顯示面板組裝成液晶顯示裝置前,液晶顯示面板需要采用短路棒(Shorting?Bar)技術進行良率檢測,以檢測液晶顯示面板是否有壞點(MURA)或亮點(DOT/LINE)等缺陷。例如在Data側,會將LCD信號線11(即紅綠藍(R/G/B)信號線)通過氧化銦錫(ITO,Indium?tin?oxide)與對應的測試線12連接在一起,之后將測試線12外引并連接至對應的探針13進行良率檢測,可如圖1a所示;當面板檢測完成后,利用激光將LCD信號線11切斷,以斷開與測試線12的連接,即斷開與檢測系統的連接,可如圖1b所示;良率檢測完成后,在焊接區域14(bonding?area)對LCD信號線11進行相關焊接后,面板可進行正常操作。
可是在實踐中,發明人發現現有的顯示面板檢測系統在對顯示面板進行完良率檢測之后,顯示面板檢測系統可能就會直接丟棄掉,從而增加生產成本。
【發明內容】
本發明的目的在于提供一種顯示面板的布線結構及顯示面板,降低了制造成本。
為解決上述問題,本發明實施例的技術方案如下:
一種顯示面板的布線結構,其中包括:
紅綠藍信號線;
三條信號控制線;以及
一開關控制線,所述開關控制線上設置有開關晶體管;
其中,每一所述信號線一端與相應的開關晶體管連接,且通過所述開關晶體管,與相應的信號控制線連接;
所述開關晶體管包括一控制端,用于接收控制信號,根據所述控制信號控制所述信號控制線與相應的信號線之間的導通或者斷開。
在上述顯示面板的布線結構中,當所述顯示面板的布線結構用于對所述顯示面板進行檢測時:所述信號控制線,用于在所述信號控制線與相應的信號線之間導通時,接收檢測信號,并根據所述檢測信號對與所述信號控制線相應連接的信號線進行檢測。
在上述顯示面板的布線結構中,當所述顯示面板的布線結構用于對觸控面板進行控制時:所述信號線,用于在所述信號控制線與相應的信號線之間導通,且所述顯示面板內像素單元和與其相連的薄膜晶體管之間斷開時,接收并傳輸觸控信號,將所述觸控信號反饋至所述信號控制線。
在上述顯示面板的布線結構中,所述開關控制線上設置有半導體層,所述半導體層上有所述開關晶體管。
在上述顯示面板的布線結構中,所述開關晶體管為薄膜場效應管或者金屬氧化層半導體場效晶體管。
為解決上述問題,本發明實施例的技術方案如下:
一種顯示面板,其中包括一布線結構,所述布線結構包括:
紅綠藍信號線;
三條信號控制線;以及
一開關控制線,所述開關控制線上設置有開關晶體管;
其中,每一所述信號線一端與相應的開關晶體管連接,且通過所述開關晶體管,與相應的信號控制線連接;
所述開關晶體管包括一控制端,用于接收控制信號,根據所述控制信號控制所述信號控制線與相應的信號線之間的導通或者斷開。
在上述顯示面板中,當所述顯示面板的布線結構用于對所述顯示面板進行檢測時:所述信號控制線,用于在所述信號控制線與相應的信號線之間導通時,接收檢測信號,并根據所述檢測信號對與所述信號控制線相應連接的信號線進行檢測。
在上述顯示面板中,當所述顯示面板的布線結構用于對觸控面板進行控制時:所述信號線,用于在所述信號控制線與相應的信號線之間導通,且所述顯示面板內像素單元和與其相連的薄膜晶體管之間斷開時,接收并傳輸觸控信號,將所述觸控信號反饋至所述信號控制線。
在上述顯示面板中,所述開關控制線上設置有半導體層,所述半導體層上有所述開關晶體管。
在上述顯示面板中,所述開關晶體管為薄膜場效應管或者金屬氧化層半導體場效晶體管。
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