[發明專利]有機發光顯示設備有效
| 申請號: | 201410547430.5 | 申請日: | 2014-10-16 |
| 公開(公告)號: | CN104821325B | 公開(公告)日: | 2019-08-30 |
| 發明(設計)人: | 高在慶 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 宋穎娉;康泉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示 設備 | ||
1.一種有機發光顯示設備包括:
基板,具有顯示區和圍繞所述顯示區的外圍區;
臺階形成層,位于所述基板的外圍區上;
絕緣層,位于所述基板上并且位于所述顯示區和所述外圍區的上方,其中所述絕緣層的通過覆蓋所述臺階形成層而對應于所述臺階形成層的部分的頂面高于所述絕緣層的剩余部分的頂面;以及
第一導電層,位于所述絕緣層的剩余部分上,所述第一導電層的端部接近于所述絕緣層的對應于所述臺階形成層的部分。
2.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備,其中所述基板的頂面和所述第一導電層的所述端部的頂面之間的距離,小于或等于所述基板的頂面和所述絕緣層的對應于所述臺階形成層的部分的頂面之間的距離,所述第一導電層的所述端部是所述第一導電層的朝向所述基板的邊緣的一部分。
3.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備,其中所述第一導電層具有多層結構,并且
構成最上層之下的層的材料的蝕刻速率高于構成所述最上層的材料的蝕刻速率。
4.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備,其中所述第一導電層包括第一鈦層、位于所述第一鈦層上的鋁層和位于所述鋁層上的第二鈦層。
5.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備,其中所述基板的頂面和所述第一導電層的所述端部的頂面之間的距離,等于所述基板的頂面和所述絕緣層的對應于所述臺階形成層的部分的頂面之間的距離,所述第一導電層的所述端部是所述第一導電層的朝向所述基板的邊緣的一部分。
6.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備,其中所述臺階形成層的厚度等于或大于所述第一導電層的厚度。
7.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備,其中所述臺階形成層包括第一臺階形成層和第二臺階形成層。
8.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備,其中所述第一導電層的所述端部的面向所述臺階形成層的側表面與所述絕緣層相接觸。
9.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備,其中所述絕緣層包括對應于所述第一導電層的所述端部的溝槽或孔,并且
所述第一導電層的所述端部位于所述絕緣層的溝槽或孔中。
10.根據權利要求9所述的有機發光顯示設備,進一步包括第二導電層,所述第二導電層位于所述基板和所述絕緣層之間,并且至少部分被所述絕緣層的溝槽或孔暴露,
其中,所述第一導電層的所述端部與所述第二導電層相接觸。
11.根據權利要求10所述的有機發光顯示設備,其中所述第二導電層延伸至所述臺階形成層之下。
12.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備,其中所述臺階形成層具有沿著所述基板的邊緣側延伸的形狀,并且
所述第一導電層也具有沿著所述基板的邊緣側延伸的形狀。
13.根據權利要求12所述的有機發光顯示設備,其中所述基板具有有長邊和短邊的矩形形狀,并且
所述基板的邊緣側是所述長邊。
14.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備,其中所述臺階形成層被形成在沿著所述基板的邊緣側的多個位置處,并且
所述第一導電層具有沿著所述基板的邊緣側延伸的形狀。
15.根據權利要求14所述的有機發光顯示設備,其中所述基板具有有長邊和短邊的矩形形狀,并且
所述基板的邊緣側是所述長邊。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





