[發明專利]具有石墨烯探測層的霍爾效應傳感器

在審

• 申請號: 201410547327.0
• 申請日: 2014-10-16
• 公開（公告）號: CN104576917A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: M·艾克金格;S·科爾布;A·德厄;G·魯爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L43/06
• 分類號: H01L43/06;H01L43/14
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種結構，包括：

襯底，具有第一面；

籽晶層，形成在所述第一面上；以及

石墨烯層，形成在所述籽晶層的至少部分上方；

其中位于所述襯底和所述石墨烯層之間的所述籽晶層的至少部分被移除，以從所述石墨烯層形成懸置的石墨烯結構。

2.根據權利要求1所述的結構，進一步包括：

支撐結構，形成在所述石墨烯層的部分上方；

密封結構，形成在所述支撐結構的部分上方；

其中所述密封結構、所述支撐結構和所述石墨烯層圍成腔體。

3.根據權利要求2所述的結構，其中所述腔體能夠維持低壓環境。

4.根據權利要求2所述的結構，其中所述密封結構完全填滿所述腔體。

5.根據權利要求2所述的結構，所述密封層包括硼磷硅酸鹽玻璃。

6.根據權利要求2所述的結構，其中所述密封層包括高密度聚乙烯。

7.一種用于制造霍爾傳感器的方法，包括：

提供具有第一面的襯底；

在所述第一面上形成籽晶層；

在所述籽晶層的至少部分上方形成石墨烯層；以及

移除位于所述襯底和所述石墨烯層之間的所述籽晶層的部分。

8.根據權利要求7所述的方法，進一步包括對所述石墨烯層進行構圖。

9.根據權利要求7所述的方法，其中所述籽晶層的所述部分通過刻蝕移除。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述籽晶層的沒有通過刻蝕移除的部分形成至少一個接觸焊盤。

11.根據權利要求7所述的方法，進一步包括在所述第一面中形成三維凹槽。

12.根據權利要求11所述的方法，其中在所述籽晶層被形成之前形成所述三維凹槽。

13.根據權利要求11所述的方法，其中所述三維凹槽被形成在(1,1,1)晶面上。

14.根據權利要求11所述的方法，其中所述三維凹槽大體上是棱錐形。

15.根據權利要求11所述的方法，其中所述三維凹槽大體上是八邊形。

16.根據權利要求11所述的方法，其中所述三維凹槽大體上是立方體形。

17.根據權利要求11所述的方法，其中所述三維凹槽大體上是四葉形。

18.根據權利要求7所述的方法，其中所述籽晶層包括金屬層。

19.根據權利要求18所述的方法，其中所述金屬層包括銅。

20.根據權利要求18所述的方法，其中所述金屬層包括鎳。

21.根據權利要求18所述的方法，其中所述金屬層包括銅鎳合金。

22.根據權利要求7所述的方法，進一步包括：

在所述石墨烯層的至少部分上方或者周圍形成密封層。

23.根據權利要求22所述的方法，其中所述密封層包括硼磷硅酸鹽玻璃。

24.根據權利要求22所述的方法，其中所述密封層包括高密度聚乙烯。