[發(fā)明專利]一種基于V_CE檢測(cè)的IGBT短路保護(hù)自適應(yīng)優(yōu)化單元及方法有效

申請(qǐng)?zhí)枺?/td>	201410547163.1	申請(qǐng)日：	2014-10-16
公開（公告）號(hào)：	CN104300511A	公開（公告）日：	2015-01-21
發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：	陳敏;張興耀;朱楠;徐德鴻;何國(guó)鋒	申請(qǐng)（專利權(quán)）人：	浙江大學(xué)
主分類號(hào)：	H02H7/20	分類號(hào)：	H02H7/20;H02H3/08
代理公司：	杭州求是專利事務(wù)所有限公司 33200	代理人：	張法高
地址：	310027 浙***	國(guó)省代碼：	浙江;33
權(quán)利要求書：	查看更多	說(shuō)明書：	查看更多
摘要：
搜索關(guān)鍵詞：	一種基于 sub ce 檢測(cè) igbt 短路保護(hù) 自適應(yīng) 優(yōu)化單元方法
鉆瓜網(wǎng) 技術(shù)展會(huì) 專利詞庫(kù) 專利權(quán)人專利榜在售專利公布日期熱門專利

【權(quán)利要求書】：

1.一種基于V_CE檢測(cè)的IGBT短路保護(hù)自適應(yīng)優(yōu)化單元，其特征在于包含比較單元（1）、反相單元（2）、觸發(fā)單元（3）、或單元（4）、下拉單元（5）和最長(zhǎng)延時(shí)單元（6）：

比較單元(1)，其第一輸入端（1-1）連接于功率半導(dǎo)體開關(guān)IGBT的集電極C端，用于檢測(cè)功率半導(dǎo)體開關(guān)IGBT的集電極端電壓信號(hào)V_CE，其第二輸入端(1-2)接一預(yù)設(shè)電壓閾值V_REF，其輸出端(1-3)連接至觸發(fā)單元(3)的第一輸入端(3-1)；

反相單元(2)，其輸入端(2-1)連接至IGBT驅(qū)動(dòng)芯片單元(101)的VOUT引腳輸出的一驅(qū)動(dòng)信號(hào)V_OUT，對(duì)其進(jìn)行反相處理，將反相信號(hào)通過輸出端(2-2)輸出至觸發(fā)單元(3)的第二輸入端(3-2)；

觸發(fā)單元(3)，其第一輸入端(3-1)連接至所述比較單元(1)的輸出端(1-2)，第二輸入端(3-2)連接至所述反相單元(2)的輸出端(2-2)，輸出端(3-3)連接至或單元(4)的第一輸入端(4-1)；

或單元（4），其第一輸入端（4-1）連接至觸發(fā)單元（3）的輸出端（3-3），第二輸入端（4-2）連接至最長(zhǎng)延時(shí)單元（6）的輸出端（6-2），輸出端（4-3）連接至下拉單元（5）的輸入端（5-1）；

下拉單元（5），其輸入端（5-1）連接至所述或單元（4）的輸出端（4-3），輸出端（5-2）連接至IGBT驅(qū)動(dòng)芯片單元（101）的短路保護(hù)檢測(cè)引腳DESAT；

最長(zhǎng)延時(shí)單元（6），輸入端（6-1）連接至IGBT驅(qū)動(dòng)芯片單元（101）的VOUT引腳輸出的一驅(qū)動(dòng)信號(hào)V_OUT，輸出端（6-2）連接至所述或單元（4）的第二輸入端（4-2）。

2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于V_CE檢測(cè)的IGBT短路保護(hù)自適應(yīng)優(yōu)化單元，其特征在于，當(dāng)IGBT處于正常導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，所述比較單元(1)輸出端(1-3)為高；當(dāng)IGBT處于關(guān)斷或短路故障狀態(tài)時(shí)，所述比較單元(1)輸出端(1-3)為低。

3.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于V_CE檢測(cè)的IGBT短路保護(hù)自適應(yīng)優(yōu)化單元，其特征在于，所述反相單元(2)對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)芯片單元（101）輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)V_OUT進(jìn)行反相處理；當(dāng)IGBT驅(qū)動(dòng)芯片單元(101)輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)V_OUT為高時(shí)，反相單元的輸出端(2-2)為低；當(dāng)IGBT驅(qū)動(dòng)芯片單元(101)輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)V_OUT為低時(shí)，反相單元的輸出端(2-2)為高。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于V_CE檢測(cè)的IGBT短路保護(hù)自適應(yīng)優(yōu)化單元，其特征在于，當(dāng)所述觸發(fā)單元(3)的第一輸入端(3-1)、第二輸入端(3-2)均為高時(shí)，其輸出端為高；當(dāng)?shù)谝惠斎攵?3-1)、第二輸入端(3-2)均為低時(shí)，輸出端與之前狀態(tài)一致，不變化；當(dāng)?shù)谝惠斎攵?3-1)為高，第二輸入端(3-2)為低時(shí)，輸出端(3-3)為低；當(dāng)?shù)谝惠斎攵?3-1)為低，第二輸入端(3-2)為高時(shí)，輸出端(3-3)為高。

5.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于V_CE檢測(cè)的IGBT短路保護(hù)自適應(yīng)優(yōu)化單元，其特征在于，當(dāng)所述或單元(4)的第一輸入端(4-1)、第二輸入端(4-2)中任一端為低時(shí)，其輸出端(4-3)為低；當(dāng)?shù)谝惠斎攵?4-1)、第二輸入端(4-2)均為高時(shí)，其輸出端(4-3)為高。

6.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于V_CE檢測(cè)的IGBT短路保護(hù)自適應(yīng)優(yōu)化單元，其特征在于，當(dāng)所述下拉單元(5)的輸入端(5-1)為高時(shí)，其輸出端(5-2)為低，即IGBT驅(qū)動(dòng)芯片單元(101)的DESAT引腳將被下拉至地，不對(duì)V_CE進(jìn)行檢測(cè)；當(dāng)所述下拉單元(5)的輸入端(5-1)為低時(shí)，其輸出端(5-2)呈現(xiàn)高阻態(tài)，此時(shí)V_CE將被IGBT驅(qū)動(dòng)芯片單元(101)進(jìn)行檢測(cè)以判斷是否發(fā)生短路故障。

下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會(huì)員可以免費(fèi)下載。

免登錄下載普通用戶下載升級(jí)VIP會(huì)員，免費(fèi)下載

該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于浙江大學(xué)，未經(jīng)浙江大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】

本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410547163.1/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。